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MMSZ5230A_R1_00001

产品描述最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:5uA @ 2V 稳压值(典型值):4.7V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小399KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMSZ5230A_R1_00001概述

最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:5uA @ 2V 稳压值(典型值):4.7V

MMSZ5230A_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗19 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1.91%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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MMSZ5229A SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.3 to 51 Volt
POWER
500 mWatt
SOD-123
0.154(3.90)
0.141(3.60)
0.110(2.80)
0.098(2.50)
Unit
inch(mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Lead free in
compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU
directive)
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.028(0.70)
0.019(0.50)
0.071(1.80)
0.055(1.40)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Apporx. Weight: 0.0004 ounces, 0.01 grams
0.005(0.12)MAX.
1
2
0.008(0.20)MAX.
0.053(1.35)
0.037(0.95)
0.016(0.40)MIN.
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Power Dissipation@T
A
=25
O
C (Notes A)
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
P
D
T
J
Value
500
-50 to +150
Units
mW
O
C
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(0.013mm thick) land areas.
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
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