Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SB20100LCT_T0_00001

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SB20100LCT_T0_00001: 产品描述直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：10A 正向压降（Vf）：750mV @ 10A; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小81KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB20100LCT_T0_00001概述

直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：10A 正向压降（Vf）：750mV @ 10A

SB20100LCT_T0_00001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	HALOGEN FREE, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.75 V
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向电流	500 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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SB20100LCT

DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

VOLTAGE

FEATURES

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

100 Volts

CURRENT

20 Amperes

MECHANICAL DATA

Case : TO-220AB, Plastic

Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

.058(1.47)

Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.

.042(1.07)

MAXIMUM RATINGS(T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig.3)

Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

Typical thermal resistance

Operating junction

Storage temperature range

per device

per diode

SYMBOL

RRM

F(AV)

FSM

STG

VALUE

100

200

2.5

-55 to + 150

UNIT

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Breakdown voltage per diode

SYMBOL

TEST CONDITIONS

=1.0mA

=5A

=10A

=5A

=10A

=70V

Reverse current per diode

(2)

MIN.

103

TYP.

120

0.55

0.52

0.62

MAX.

0.60

0.75

0.7

500

UNIT

μA

Instantaneous forward voltage per

diode

(1)

=25

=125

=100V

=25

=125

Note.1 Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle

2. Pulse test : Pulse width < 2.5ms

PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE

June.9.2010-REV.01

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