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BZX55C3V3-AY-10001

产品描述最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:2uA @ 1V 稳压值(典型值):3.3V 3.3V 500mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小266KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZX55C3V3-AY-10001概述

最大功率:500mW 精度:- 反向漏电流:2uA @ 1V 稳压值(典型值):3.3V 3.3V 500mW

BZX55C3V3-AY-10001规格参数

参数名称属性值
最大功率500mW
反向漏电流2uA @ 1V
稳压值(典型值)3.3V

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BZX55C2V4~BZX55C75
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volt
POWER
500 mWatt
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
MECHANICAL DATA
• Case: Molded glass DO-34
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.09 grams
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
September 17,2018-REV.10
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