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MMBTA06W_R1_00001

产品描述额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小217KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBTA06W_R1_00001概述

额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN

MMBTA06W_R1_00001规格参数

参数名称属性值
额定功率225mW
集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce80V
晶体管类型NPN

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PMMBTA06W
NPN High Voltage Transistor
Voltage
Features
80V
Power
225mW
NPN silicon, planar design
Collector current I
C
= 500mA
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU
directive.
Green molding compound as per IEC61249 Std.
(Halogen Free)
Mechanical Data
Case: SOT-323 Package
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.00018 ounces, 0.005 grams
Marking: B06
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Maximum Power Dissipation ( Note 1)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Typical Junction-to Ambient Thermal Resistance ( Note 1)
Note : 1. Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
o
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
T
J
,T
STG
R
θJA
LIMIT
UNITS
V
V
V
mA
mW
o
o
80
80
4
500
225
-55 to +150
550
C
C/W
December 2,2014-REV.00
Page 1
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