Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> ZMM5256B_R1_10001

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ZMM5256B_R1_10001: 产品描述最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 23V 稳压值(典型值）：30V 30V 500mW; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小231KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ZMM5256B_R1_10001概述

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 23V 稳压值(典型值）：30V 30V 500mW

ZMM5256B_R1_10001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	49 Ω
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	600 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	30 V
最大反向电流	0.1 µA
反向测试电压	23 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	5%
工作测试电流	4.2 mA
Base Number Matches	1

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ZMM5221B~ZMM5266B

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.4 to 68 Volt

POWER

500 mWatt

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

0.063(1.6)

0.020(0.5)

0.012(0.3)

0.146(3.7)

0.130(3.3)

• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MINI-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.001

ounces, 0.03

grams

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

0.020(0.5)

0.012(0.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Symbol

TOT

STG

Value

500

-65 to +175

Units

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 200mA

Symbol

JA

Min.

Typ.

Max.

0.3

1.1

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

0.055(1.4)DIA.

January 25,2019-REV.08

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