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MMSZ5256B: 产品描述最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 23V 稳压值(典型值）：30V 30V 500mW; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小378KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMSZ5256B概述

最大功率：500mW 精度：- 反向漏电流：0.1uA @ 23V 稳压值(典型值）：30V 30V 500mW

MMSZ5256B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	49 Ω
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	30 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	5%
工作测试电流	4.2 mA
Base Number Matches	1

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MMSZ5221B~MMSZ5262B

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE

2.4 to

Volt

POWER

500 mWatt

0.154(3.90)

0.141(3.60)

0.110(2.80)

0.098(2.50)

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

• Green molding compound as per IEC 61249 standard

0.028(0.70)

0.019(0.50)

0.071(1.80)

0.055(1.40)

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-123, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0103 gram

0.008(0.20)MAX.

0.053(1.35)

0.037(0.95)

0.016(0.40)MIN.

0.005(0.12)MAX.

Cathode

Anode

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Total Power Dissipation (Notes A)

Typical Thermal Resistance (Notes B)

(Notes A)

Operating Junction and StorageTemperature Range

Symbol

Value

500

430

325

-55 to +150

Units

C/W

NOTES : A. Mounted on 100cm

(1mm thick) copper areas.

B. Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.

December 13,2017-REV.08

PAGE . 1

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