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US1DW_R1_00001

产品描述反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小279KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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US1DW_R1_00001概述

反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V @ 1A

US1DW_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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US1AW SERIES
SURFACE MOUNT UL
TRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volt
CURRENT
1 Ampere
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Easy pick and place
• Ultrafast recovery times for high efficiency
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Lead free in
compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
Case: SMA(W) molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k R e ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um R M S V o lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urre nt a t T
L
= 1 2 5
O
C
P e a k F o rw a rd S urg e C urr e nt : 8 . 3 ms s i ng le ha lf
s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d
(J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 1 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e (No te s 2 )
Typ i c a l The rma l R e s i s ta nc e ( No te s 3 )
Ma xi m um Re ve rs e R e c o ve ry Ti me ( No te s 1 )
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te mp e ra tur e
Ra ng e
S YM B OL
US 1 AW US 1 B W US 1 D W US 1 G W US 1 J W US 1 K W US 1 M W
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
JL
t
rr
T
J
,T
S TG
50
-5 5 t o + 1 5 0
1
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
30
1 .3
10
17
30
100
O
UNITS
V
V
V
A
A
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1 .7
V
A
pF
C / W
ns
O
C
NOTES:
1. Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. Mounted on infinite heatsink.
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