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PJSD03LCFN2

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD03LCFN2概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSD03LCFN2


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :40W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=3.3V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=2.5μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :10V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :6A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=25pF


Package:DFN 2L



PJSD03LCFN2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明R-PBCC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7 V
最小击穿电压5.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散40 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压3.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

PJSD03LCFN2文档预览

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PJSD03LCFN2
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE
This bi-directional TVS has been designed to protect sensitive equipment against ESD and to prevent Latch-Up
events in CMOS circuitry operating at 3.3Vdc and below.This offers an integrated solution to protect a single data
line where the board space is a premium.
SPECIFICATION FEATURES
• 40W Power Dissipation (8/20μs Waveform)
• Low Leakage Current, Maximum of 2.5μA@3.3Vdc
• Very low Clamping voltage
• IEC 61000-4-2 ESD 30kV air, 30kV Contact Compliance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Case : DFN 2L, Plastic
• Marking : BS
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.002(0.05)MAX.
0.042(1.05)
0.037(0.95)
APPLICATIONS
• Video I/O ports protection
• Set Top Boxes
• Portable Instrumentation
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.026(0.65)
0.021(0.55)
PIN NO.1
IDENTIFICATION
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Pulse Power (8/20
μs
Waveform)
Peak Pulse Current (8/20
μs
Waveform)
O p e ra t i ng J unc t i o n a nd S t o ra g e Te m p e r a tur e Ra ng e
Symbol
Value
40
6
-55 to +150
Units
W
A
O
P
PP
I
PPM
T
J
, T
S TG
0.022(0.55)
0.047(0.45)
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
=25
o
C)
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20μs)
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
C
C
J
I
BR
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=6A
0 Vdc Bias f=1MHz
Conditions
Min.
-
5.4
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
3.3
7.0
2.5
10
25
Units
V
V
μA
V
pF
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January 05,2011-REV.00
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