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S-GBP808N_HF-TU-LT

产品描述反向峰值电压:800V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.05V @ 4A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小113KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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S-GBP808N_HF-TU-LT概述

反向峰值电压:800V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.05V @ 4A

S-GBP808N_HF-TU-LT规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压800V
平均整流电流(Io)8A
正向压降(Vf)1.05V @ 4A

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GBP808N
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE – 800 Volts
FORWARD CURRENT – 8.0 Amperes
GBP
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
O
P
GBP
Min.
14.2
2.90
10.1
13.8
1.80
6.65
3.71
0.40
1.20
0.64
1.80
3.1ψ
Max.
14.7
3.30
10.7
14.4
2.20
7.25
3.91
0.60
1.40
0.84
2.40
3.3ψ
FEATURES
Rating to 800V PRV
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique
UL recognized file # E95060
MECHANICAL DATA
Case Material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Polarity indicator: As marked on body
Weight: 1.33 grams
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current @ T
A
=25 C
Peak forward surge current single half sine-wave
superimposed on rated load. @ T
J
=25 C
I
2
t rating for fusing ( t < 8.3ms )
Operation and storage temperature range
°
°
SYMBOL
V
RRM
with heat-sink
without heat-sink
@8.3ms
@1.0ms
I
(AV)
I
FSM
I
2
t
T
J
,T
STG
VALUE
800
8.0
1.5
165
330
110
-55 to +150
UNIT
V
A
A
A
2
S
°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Forward voltage
Leakage current
Typical junction capacitance
(Note1)
TEST CONDITIONS
IF=4.0 A
VR=800 V
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
F
I
R
C
J
MAX.
1.05
1.0
100
45
UNIT
V
uA
pF
THERMAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTIC
Typical thermal resistance
(Note2)
SYMBOL
RthJ
C
RthJ
L
RthJ
A
RthJ
C
RthJ
L
RthJ
A
TYP.
3.2
4.8
8
9.5
24
28
REV. 3, DEC-2014, KBDG13
°C/W
UNIT
Typical thermal resistance
(without heatsink)
°C/W
Note :
(1)
(2)
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal resistance test performed in accordance with JESD-51. Device mounted on 150 mm x 150 mm x 2
mm cu plate heatsink.
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