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S3MB

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.15V @ 3A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小47KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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S3MB概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.15V @ 3A

S3MB规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)1.15V @ 3A

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S3AB thru S3MB
SURFACE MOUNT
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
• Glass passivated chip
• For surface mounted applications
• Low reverse leakage current
• Low forward voltage drop
• High current capability
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic
• Case Material molding compound, UL flammability
classification 94V-0, (No Br. Sb. CI.) “Halogen-free”.
• Polarity: Color band denotes cathode
• Weight : 0.102 grams ( Approximated )
REVERSE VOLTAGE – 50 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT – 3.0 Amperes
SMB
A
DIM.
SMB
MIN.
4.06
3.30
1.96
0.15
5.21
0.05
2.01
MAX
4.57
3.94
2.21
0.31
5.59
0.20
2.50
A
B
C
D
E
F
G
B
C
G
H
E
F
D
H
0.76
1.52
All dimension in
millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current @ T
L
=75°C
Peak forward surge current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Peak forward surge current 1ms single half
sine-wave superimposed on rated load
I
2
t rating for fusing ( t = 8.3ms)
Typical junction capacitance
(Note1)
Operation and storage temperature range
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
DC
I
(AV)
I
FSM
I
FSM
I
2
t
C
J
T
J
,T
STG
S3AB
50
50
S3BB
100
100
S3DB
200
200
S3GB
400
400
3.0
120
100
240
200
42
40
-55 to +150
S3JB
600
600
S3KB
800
800
S3MB
1000
1000
UNIT
V
V
A
A
A
A
2
S
pF
°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Forward voltage
Leakage current
TEST CONDITIONS
I
F
= 3.0A
V
R
rated
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
F
I
R
MAX.
1.15
10
250
UNIT
V
uA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Typical thermal resistance
(Note2)
SYMBOL
RthJ
A
RthJ
L
RthJ
C
TYP.
55
12
12
UNIT
°C/W
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Reverse recovery time
TEST CONDITIONS
IF= 0.5A, Irr= 0.25A, IR =1.0A
SYMBOL
T
RR
TYP.
2000
UNIT
ns
REV. 10, Dec.-2016, KSDB03
Note :
(1)
(2)
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
Thermal resistance junction to ambient, lead and case.
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