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S-KBJ410G-TU-LT

产品描述反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.1V @ 4A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小106KB,共4页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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S-KBJ410G-TU-LT概述

反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.1V @ 4A

S-KBJ410G-TU-LT规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压1000V
平均整流电流(Io)4A
正向压降(Vf)1.1V @ 4A

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KBJ404G thru KBJ410G
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE – 400 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT – 4.0 Amperes
KBJ
A
O
C B
Q
R
H
K
MECHANICAL DATA
Case: KBJ
Case Material: Plastic material, UL flammability
classification 94V-0
Polarity indicator: Symbol molded on body
Weight: 4.29 grams ( Approximate)
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
UL recognized file # E95060
D
E
F
N
-
J
G
I
L
M
KBJ
DIM
MIN
MAX
A
24.80 25.20
B
14.70 15.30
C
3.90
4.10
D
4.40
4.80
E
3.40
3.80
F
3.10Ø 3.40Ø
G
3.30
3.70
H
0.90
1.10
I
1.50
1.90
J
17.20 17.80
K
7.30
7.70
L
2.50
2.90
M
0.60
0.80
N
9.30
9.70
O
3.0 x 45°
Q
1.05
1.45
R
1.70
2.10
All dimension in
millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Average rectified output current per device
@T
C
= 115 °C
Peak forward surge current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Peak forward surge current 1ms single half
sine-wave superimposed on rated load
I t rating for fusing ( t = 8.3ms)
Storage temperature range
2
SYMBOL
V
RRM
V
DC
with heatsink
(Note 2)
without heatsink
@ T
J
=25°C
@ T
J
=125°C
@ T
J
=25°C
@ T
J
=125°C
I
(AV)
I
FSM
I
FSM
I
2
t
T
J
,T
STG
KBJ404G
400
400
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Forward voltage
Leakage current
Typical junction capacitance
(Note 1)
TEST CONDITION
I
F
= 2.0A
I
F
= 4.0A
V
R
at rated
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
SYMBOL
V
F
I
R
C
J
MAX
1.0
1.1
5
500
40
UNIT
V
uA
pF
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Typical thermal resistance
(Note 2)
Note :
(1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
(2) Thermal resistance junction to case in accordance with JESD-51.
Unit mounted on 75mm * 75mm *1.6mm Cu plate heatsink.
SYMBOL
RthJ
C
TYP.
5.5
UNIT
°C/W
REV. 11, JUN.-2015, KBDF03
~
~
~
~
~
~
+
+
+
KBJ406G
600
600
KBJ408G
800
800
KBJ410G
1000
1000
UNIT
V
V
A
A
A
A
2
S
°C
4.0
2.6
135
120
270
240
75.6
-55 to +150
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