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G2060CTW

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):570mV @ 10A 60V,20A,VF=0.57V@10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小53KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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G2060CTW概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):570mV @ 10A 60V,20A,VF=0.57V@10A

G2060CTW规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)60V
平均整流电流(Io)20A
正向压降(Vf)570mV @ 10A

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G2060CTW
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIERS
FEATURES
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
– 60 Volts
– 20 Amperes
Trench Schottky technology
Low power loss, high efficiency
Low forward drop voltage
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
TO-220AB
TO-220AB
DIM
MIN
MAX
A
14.40
15.20
B
9.65
10.67
C
2.54
3.43
D
5.84
6.86
E
8.26
9.28
F
-
4.20
G
12.70
14.73
H
2.29
2.79
I
0.51
1.00
J
0.30
0.64
K
3.53Φ
4.09Φ
L
3.56
4.83
M
1.14
1.40
N
2.03
2.92
O
1.14
1.37
All Dimensions in millimeter
Case: TO-220AB molded plastic
Case Material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI.)
"Halogen-free".
Terminals: Matte Tin
Lead Free Finish, RoHS Compliant
Polarity: As marked on the body
Weight: 0.072 ounces, 2.0275 grams(Approximate)
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current per device
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
single half sine-wave
@Tc=120°C
tp=8.3ms
SYMBOL
V
RRM
V
DC
I
F
I
FSM
T
J,
T
STG
VALUE
60
60
20
200
-55 to +150
UNIT
V
V
A
A
°
C
Operating junction and Storage temperature range
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Forward Voltage Note(1)
Maximum DC Reverse Current
Junction Capacitance per element
Test condition
I
F
=10A
V
R
=60V
@T
j
=25°
C
@T
j
=125°
C
@T
j
=25°C
@T
j
=125°C
Symbol
V
F
I
R
C
j
Typ.
0.50
0.47
-
-
760
Max.
0.57
0.52
0.25
30
-
Unit
V
mA
pF
f=1MHz, V
R
=4V
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Typical thermal resistance Junction (Note 2&3)
Note :
(1)
(2)
(3)
SYMBOL
R
Θ
JC
R
Θ
JL
R
Θ
JA
VALUE
2.0
3.0
15
UNIT
°
C/W
REV. 2, Jan-2015, KTHC122
300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
Thermal Resistance Junction to Case, Lead and Ambient.
Device mounted on 60 x 60 x 1.5 mm Copper plate.
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