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S-GBJ1006F-TU-LT

产品描述反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.05V @ 5A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小91KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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S-GBJ1006F-TU-LT概述

反向峰值电压:600V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.05V @ 5A

S-GBJ1006F-TU-LT规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压600V
平均整流电流(Io)10A
正向压降(Vf)1.05V @ 5A

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
GBJ1004 thru GBJ1010
REVERSE VOLTAGE
- 400
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 10
Amperes
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Rating to 1000V PRV
Ideal for printed circuit board
Low forward voltage drop, high current capability.
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
technique results in inexpensive product
The plastic material has UL flammability classification
94V-0
UL Recognition File # E95060
P
L
M
GBJ
GBJ
MAX.
DIM.
MIN.
A
29.70
30.30
B
19.70
20.30
17.0
C
18.0
4.90
D
4.70
11.20
E
10.80
F
2.70
2.30
3.10
G
3.40
H
3.40
3.80
I
4.40
4.80
J
2.50
2.90
K
0.60
0.80
L
2.00
2.40
M
0.90
1.10
10.20
9.80
N
O
7.70
7.30
P
4.20
3.80
(3.0) x 45
Q
All Dimensions in millimeter
A
Q
D B
+
I
H
G
E
~ ~
-
C
MECHANICAL DATA
Polarity : Symbols molded on body
Weight : 0.23 ounces, 6.6 grams
Mounting position : Any
N
O
O F
K
J
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink
Note 2
)
Rectified Current
@T
C
=110 C
(without heatsink)
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum forward Voltage at 5.0A DC
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GBJ
1004
400
280
400
GBJ
1006
600
420
600
GBJ
1008
800
560
800
GBJ
1010
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
V
uA
AS
pF
C/W
2
10.0
3.0
170
1.05
10
500
120
55
1.4
-55 to +150
-55 to +150
I
FSM
V
F
I
R
I t
C
J
R
0JC
2
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for fusing (t < 8.3ms)
Typical Junction
Capacitance per element (Note 1)
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
REV. 6, Feb-2013, KBDG03
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Device mounted on 150mm x 150mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
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