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B5100C

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):850mV @ 5A 100V,5A,VF=0.85V@5A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小64KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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B5100C概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):850mV @ 5A 100V,5A,VF=0.85V@5A

B5100C规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)5A
正向压降(Vf)850mV @ 5A

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
B5100C
REVERSE VOLTAGE -
100
Volts
FORWARD CURRENT -
5.0
Amperes
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
For surface mounted applications
Metal-Semiconductor junction with guardring
Epitaxial construction
Very Low forward voltage drop
High current capability
For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
SMC
SMC
A
DIM.
A
B
C
B
C
D
E
F
MIN.
6.60
5.59
2.92
0.15
7.75
0.05
2.01
0.76
MAX.
7.11
6.22
3.18
0.31
8.13
0.20
2.50
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Case Material: Molding compound, UL Flammability
classification 94V-0, (No Br. Sb. Cl.) "Halogen-free".
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.007 ounces, 0.21 grams
G
H
E
F
D
G
H
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
SYMBOL
B5100C
100
100
UNIT
V
V
A
A
V
mA
pF
C/W
V
RRM
V
DC
@T
L
=75
@T
A
=25
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JL
R
0JA
5.0
100
0.85
0.02
20
300
17
55
-55 to +150
-55 to +150
Maximum forward Voltage at 5.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25
@T
J
=100
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2, 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
REV. 5, Aug-2014, KSHC05
NOTES : 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Thermal Resistance Junction to Lead
3. Thermal Resistance Junction to ambient
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