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MURS360

产品描述直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V @ 3A 反向恢复时间(trr):50ns Input Voltage:2.2-5.5V Output Voltage:1.8V,300mA CMOS LDO
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小56KB,共3页
制造商台湾敦南(LITEON)
官网地址http://www.liteon-semi.com/
敦南科技股份有限公司(台股代号 : 5305)成立于1990年, 公司总部位于台北市内湖区,并在基隆、新竹、大陆无锡及上海地区设立五个业务及生产基地。为加强客户服务及拓展新市场,敦南将持续在中国大陆及亚太地区重点城市设立更多业务及技术支持服务据点。
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MURS360概述

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V @ 3A 反向恢复时间(trr):50ns Input Voltage:2.2-5.5V Output Voltage:1.8V,300mA CMOS LDO

MURS360规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)600V
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)1.25V @ 3A
反向恢复时间(trr)50ns

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MURS360
SURFACE MOUNT
SUPER FAST RECTIFIERS
FEATURES
• Glass passivated chip
• Super fast switching for high efficiency
• For surface mounted applications
• Low forward voltage drop and high current capability
• Low reverse leakage current
• Plastic material has UL flammability classification 94V-0
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT –
600
Volts
3.0
Amperes
SMC
MECHANICAL DATA
Case Material: “Green” molding compound, UL flammability
classification 94V-0, (No Br. Sb. Cl.)
• Polarity: Color band denotes cathode
• Weight:0.01 ounces, 0.249 grams(Approximate)
• Marking Code: U3J
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
@Tc=140°
C
SYMBOL
V
RRM
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
E
AS
Cj
R
Θ
JC
R
Θ
JL
R
Θ
JA
MURS360
600
600
3.0
100
1.25
3.0
150
50
10.8
40
10
16
48
-55 to +175
-55 to +175
UNIT
V
A
A
A
V
uA
ns
mJ
pF
Peak Forward Surge 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current @Tj=25°
C
at Rated DC Blocking Voltage
@Tj=150°C
Maximum Reverse Recovery time
(I
F
=0.5A , I
R
=1.0A , I
RR
=0.25 A)
Single pulse avalanche energy @15mH
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2, 3)
°
C/W
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Tj
Tstg
°
C
°
C
Note: (1) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC...
(2) Thermal Resistance Junction to Case, Lead and Ambient.
(3) Unit mounted on glass epoxy substrate 1oz/ft, 10 mmx10 mm copper pad.
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