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KBU810G

产品描述反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V @ 4A VR=1000V IO=8A VF=1.1V@4A
产品类别分立半导体    整流桥   
文件大小98KB,共2页
制造商虹扬(HY)
官网地址http://www.hygroup.com.tw/
英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司(以下简称虹扬)主要从事设计、研发、制造、销售、半导体整流功率分离式组件。我们有业界最优质的研发团队,最新式全自动生产设备,最严谨质量控管机制,提供给您最优质的产品,虹扬发展科技有最齐全的整流功率二极管产品组合,可以提供客户最及时的整体性解决方案。
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KBU810G概述

反向峰值电压:1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):1.1V @ 4A VR=1000V IO=8A VF=1.1V@4A

KBU810G规格参数

参数名称属性值
反向峰值电压1000V
平均整流电流(Io)8A
正向压降(Vf)1.1V @ 4A

KBU810G文档预览

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KBU8005G thru KBU810G
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Surge overload rating -175 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000Volts
FORWARD CURRENT
- 8.0
Amperes
KBU
.165(4.2)*45°
.935(23.7)
.895(22.7)
.15 X23L
(3.8 X5.7L)
HOLE THRU
molded plastic technique
Plastic material has UL
Mounting postition:Any
Mounting torgue:5 In.Ib.Max
.700(17.8)
.600(16.8)
300
(7.5)
.780(19.8)
.740(18.8)
1.00
MIN.
(25.4)
.052(1.3)DIA.
.048(1.2)TYP.
.087(2.2)
.071(1.8)
.220(5.6)
.180(4.6)
.276(7.0)
.256(6.5)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Output Current at
T
C
=100℃
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
Half Sine-Wave Super Imposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Maximum Instantanous Forward Voltage Drop
per Element at 4.0A
Maximum Reverse Leakage at rated T
J
=25℃
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
=100℃
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
KBU
8005G
50
35
50
KBU
801G
100
70
100
KBU
802G
200
140
200
KBU
804G
400
280
400
8.0
KBU
806G
600
420
600
KBU
808G
800
560
800
KBU
810G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
175
A
V
F
I
R
C
J
T
J
T
STG
1.1
10
100
250
-55 to +150
-55 to +150
V
μA
pF
NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.The typical data above is for reference only(典型值仅供参考).
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