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SF58G

产品描述直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.75V @ 5A 反向恢复时间(trr):35ns
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小99KB,共2页
制造商台湾固锝(GD)
官网地址http://www.goodelect.com/
1987固锝电子股份有限公司由陈鉴章先生在台北创立;自芯片扩散工序,到整流二极管封装测试,形成了完整的生产能力.推出“GD”品牌,获市场好评;于2000台北创立铨锝兴业股份有限公司。公司主要生产半导体整流器芯片、二极管、桥式整流器等半导体元器件产品。产品应用于Computer(PC/NB……)、消费性电子产品Consumer、通信Communication,以及汽车市场等领域,产品主要销售对象遍布广大国际市场。公司不断研发和创新,目前已获得丰富的成果,并已取得多项产品研发专利。拥有多项发明专利,具有自主研发能力和自主知识产权。厂内建设有全套的GPP芯片扩散生产线和整流二极管封装生产线,拥有一流的生产设备、领先的研发能力、完整的生产技术、现代的管理理念。具有年产300万片GPP芯片和600KK二级管的生产规模。并已在2004年通过了ISO9001质量管制体系标准认证,2008年荣获国家级高新技术企业证书。迄今,不仅仅培养了一批懂技术会管理的企业职工团队,更以有能力自主研发为傲。在市场上以供应高效整流器芯片为主要特色产品,公司有能力为客户提供高信赖、快恢复、大功率的整流器晶片产品,竭诚为广大用户服务。
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SF58G概述

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.75V @ 5A 反向恢复时间(trr):35ns

SF58G规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)600V
平均整流电流(Io)5A
正向压降(Vf)1.75V @ 5A
反向恢复时间(trr)35ns

SF58G文档预览

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SF51G THRU SF58G
GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 5.0 Ampere
DO-201AD
FEATURES
Low power loss, high efficiency
Low leakage
Low forward voltage drop
1.0(25.4)
MIN.
0.220(5.6)
0.197(5.0)
DIA.
High current capability
High speed switching
High current surge
High reliability
Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS
environment substance directive request
0.375(9.50)
0.285(7.20)
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-201AD, Molded plastic
Terminals:
Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
1.0(25.4)
MIN.
0.052(1.32)
0.048(1.22)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
Polarity:
Color band denotes cathode end
Approx. Weight:
0.04 ounce, 1.10 grams
Mounting Position:
Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25° ambient temperature unless otherwis e specified.
C
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Average Rectified current at T
A
=55°
C
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
SYMBOLS
SF51G SF52G SF53G SF54G SF55G SF56G SF58G
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
5.0
150
0.95
5.0
35
100
30
-65 to +150
50
1.25
1.75
300
210
300
400
280
400
600
420
600
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
at I
F
=5.0A
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
µA
nS
pF
°
C/W
°
C
Maximum Forward Voltage
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J,
T
STG
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical Junction Capacitance
(NOTE 2)
Typical thermal resistance
(NOTE 3)
Operating Junction & Storage Temperature Range
at T
A
=25°
C
Note:
1. Reverse recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
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