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M1

产品描述直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A
产品类别分立半导体    通用二极管   
文件大小149KB,共2页
制造商台湾固锝(GD)
官网地址http://www.goodelect.com/
1987固锝电子股份有限公司由陈鉴章先生在台北创立;自芯片扩散工序,到整流二极管封装测试,形成了完整的生产能力.推出“GD”品牌,获市场好评;于2000台北创立铨锝兴业股份有限公司。公司主要生产半导体整流器芯片、二极管、桥式整流器等半导体元器件产品。产品应用于Computer(PC/NB……)、消费性电子产品Consumer、通信Communication,以及汽车市场等领域,产品主要销售对象遍布广大国际市场。公司不断研发和创新,目前已获得丰富的成果,并已取得多项产品研发专利。拥有多项发明专利,具有自主研发能力和自主知识产权。厂内建设有全套的GPP芯片扩散生产线和整流二极管封装生产线,拥有一流的生产设备、领先的研发能力、完整的生产技术、现代的管理理念。具有年产300万片GPP芯片和600KK二级管的生产规模。并已在2004年通过了ISO9001质量管制体系标准认证,2008年荣获国家级高新技术企业证书。迄今,不仅仅培养了一批懂技术会管理的企业职工团队,更以有能力自主研发为傲。在市场上以供应高效整流器芯片为主要特色产品,公司有能力为客户提供高信赖、快恢复、大功率的整流器晶片产品,竭诚为广大用户服务。
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M1概述

直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V @ 1A

M1规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)50V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.1V @ 1A

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M1 THRU M7 AND S1A THRU S1M
SURFACE MOUNT GENERAL RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
DO-214AC
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds at terminals
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.222(5.66)
0.194(4.93)
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.002
ounce, 0.07 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
M1
S1A
M2
S1B
M3
S1D
M4
S1G
M5
S1J
M6
S1K
M7
S1M
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
=110 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
30.0
1.1
5.0
50.0
15.0
75.0
-65 to +175
Amps
Volts
A
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
1
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