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FIR4N65FG

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
制造商福斯特(FIRST)
官网地址http://www.first-semi.com/
福斯特集团(FIRST SEMI)成立于2010年,总部设立在中国深圳,公司是一家集半导体芯片研发、方案设计、封装制造、测试编带、产品销售为一体的国家级高新技术企业。产品广泛应用于无人机、机器人、笔记本电脑、液晶电视、手机、智能穿戴、家电、通讯设备、照明应用、汽车电子等诸多领域。
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FIR4N65FG概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。

FIR4N65FG规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.8Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)
类型N沟道
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