深圳市宇阳科技发展有限公司
EYANG TECHNOLOGY DEVELOPMENT CO.,LTD
C0402C0G560J500NTB
片式多层陶瓷电容器系列
产 品 规 格 书
地址：深圳市南山区高新技术产业园北区科技北二路½民道
3
号宇阳大厦
ADD：EYANG Building, 3 Qimin Street, No.2 North Technology Road, North Area,
High-Tech Industrial Park, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong, P.R.C
Postcode:518057
TEL：86-0755-86252188
FAX：86-0755-86278303
Mark：产品规格书仅供参考，最终电容选型请联系我司销售工程师或者技术服务工程师进行询问。
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1．范围：
此规格书适用于下面列出的所有系列的片式多层陶瓷电容器（英文缩写
MLCC）
：
介质特性组别：C0G/C0H(NP0)、X7R、X5R、Y5V；
产品尺寸规格：0402、0603、0805、1206；
标称电容量范围：0.3pF~1μF
2．产品的½名规则：
C 0402 X5R 104 K 160 N T B
产品代码
表示片式多
层陶瓷电容
器
MLCC
尺寸规格
（EIA）
0402；0603
0805；1206
温度系数或
特性代码
C0G、X5R
X7R、Y5V
标称电容量代码
例：0R5=0.5pF
101=100pF
474=470000pF
额定电压
6R3=6.3V；100=10V
160=16V
；250=25V
500=50V
端电极类型
C：±0.25 pF
J：±5%
N：±30%
D：±0.5pF
K：±10%
X：±40%
N：
Cu/Ni/Sn
三层结构
C：表示铜端头
包装代码
具½包装代码
见表
4
产品厚度代码
具½厚度代码见
表
1
标称电容量的允许偏差
A：±0.05pF
B：±0.1pF
F：±1%
G：±2%
L：±15%
M：±20%
Z：+80/-20%
L
1
W
L
2
T
表
1
尺寸规格
0402
0603
0805
1206
长度（L）
1.00±0.05
1.00
+0.15-0.05
1.60±0.10
2.00±0.20
2.00
+0.20-0.30
3.20±0.20
3.20±0.20
3.20±0.20
L
图
1
产品外½示意图
MLCC
的尺寸规格
(单½： mm)
½度（W）
0.50±0.05
0.50
+0.13-0.05
0.80±0.10
1.25±0.20
1.25
+0.20-0.30
1.60±0.20
1.60±0.20
1.60±0.20
端头½度（L
1
、L
2
）
0.10½0.35
0.10½0.35
0.15½0.60
0.20½0.75
0.20½0.75
0.25½0.75
0.25½0.75
0.25½0.75
厚度（T） 厚度代码
0.50±0.05
B
0.50
+0.13-0.05
N
0.80±0.10
D
+0.15
0.85
-0.35
Y
+0.20
1.25
H
-0.30
+0.15
Y
0.85
-0.35
O
1.15±0.20
1.60±0.20
L
介质特性组别
NP0
X7R
X5R
Y5V
表
2
产品的介质特性组别
工½温度范围
-55℃½+125℃
-55℃½+125℃
-55℃½+85℃
-30℃½+85℃
温度系数或温度特性
C0G：0±30ppm/℃
C0H：0±60ppm/℃
±15%
±15%
+22/-82%
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表
3
尺寸
规格
额定电压
/U
R
50V
25V
0402
16V
10V
6.3V
50V
25V
0603
16V
10V
6.3V
50V
25V
16V
10V
6.3V
50V
1206
25V
16V
10V
6.3V
C0G
0.3pF½330pF
360pF½1.0nF
0.3pF½330pF
470pF½1.0nF
—
—
—
—
—
0.5pF½2.2nF
2.7nF½3.9nF
—
—
—
10pF½4.7nF
1.0nF½5.6nF
1.0nF½10nF
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
容量范围与厚度代码对照表
标称电容量范围
X7R
X5R
100pF½22nF
—
22nF½47nF
—
56nF½100nF
—
—
—
—
220pF½100nF
100nF½390nF
100nF½390nF
—
—
220pF½100nF
100nF½820nF
—
220nF½820nF
1.0μF
—
—
100nF
100nF½1.0μF
—
1.0μF
—
—
100pF½22nF
27nF½47nF
10nF½68nF
82nF½100nF
47nF½100nF
120nF½220nF
100nF
120nF½220nF
—
220pF½100nF
100nF½220nF
220nF½470nF
—
—
220pF½100nF
100nF½820nF
—
220nF½820nF
1.0μF
—
—
—
—
—
—
—
—
Y5V
100pF½22nF
33nF½47nF
10nF½68nF
100nF
47nF½150nF
150nF½220nF
100nF
150nF½220nF
—
220pF½220nF
100nF½220nF
220nF½470nF
—
—
220pF½100nF
100nF½680nF
—
220nF½680nF
1.0μF
—
—
100nF
100nF½1.0μF
—
1.0μF
—
—
厚度代码
B
N
B
N
B
N
B
N
—
D
D
D
—
—
Y
H
Y
H
H
—
—
Y
L
—
O
—
—
0805
注：1）X7R、X5R 组别采用
E12
系列，Y5V 组别采用
E6
系列，C0G 组别采用
E24
系列，10pF 以下规格允
许½用整数标称值，如：1.0、2.0、3.0pF 等。
2）对于同尺寸、材质、容量的产品，额定电压可以由高往½覆盖。
包装类型：
带式包装（标准½½带圆盘包装）
，单盘最小包装数见表
4。
表
4
包装类型
产品尺寸规格
0402
0603
0805
1206
产品厚度代码
B/N
B/N
D
H
Y
L/O
Y
产品包装代码
T
J
T
P
T
P
T
圆盘尺寸
7”
13”
7”
7”
7”
7”
7”
½½带种类
纸带
纸带
纸带
塑带
纸带
塑带
纸带
包装数(Kpcs)
10
50
4
2
4
2
4
第一次包装：每多盘物料装入包装盒。
第二次包装：将第一次包装½的包装盒装入纸质包装箱，箱内剩½空隙部½用½质辅材填满。
以上包装½式亦可根据用户需要包装。
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3.
技术规格和试验方法：
3.1
外观：
3.1.1
要求：
瓷½和端电极无明显伤痕。
3.1.2
试验方法：
在
10
倍显微镜下目测。
3.2
尺寸规格：
3.2.1
要求：
产品的外½和尺寸应符合图
1
及表
1
的要求。
3.2.2
试验方法：
½用精度不½于
0.01 mm
的量具测量。
3.3
工½环境：
C0G/C0H(NP0)、
X7R
X5R
Y5V
温度：
-55℃½+125℃；
相对湿度：
≤95%
（25℃） 大气压：
86 KPa
½106KPa
温度：
-55℃½+85℃；
相对湿度：
≤95%（25℃）
大气压：
86 KPa
½106KPa
温度：
-30℃½+85℃；
相对湿度：
≤95%（25℃）
大气压：
86 KPa
½106KPa
3.4
产品的电性½指标和试验条件：
表
5
电性½指标和试验条件
条款
1
项目
电容量
（C）
指标
符合标称电容量及其允许偏差范围
C0G/C0H(NP0)：
C≥30pF，tgδ≤10×10
-4
；
C<30pF， tgδ≤1.0×(90/C+7)×10
-4
损耗角
正切值
（tgδ）
X7R：
U
R
=50V tgδ≤350×10
-4
U
R
=25V tgδ≤480×10
-4
U
R
≤16V tgδ≤500×10
-4
X5R：
U
R
=50V/25V tgδ≤750×10
-4
U
R
=16V
tgδ≤800×10
-4
U
R
=10V
tgδ≤900×10
-4
U
R
=6.3V
tgδ≤1000×10
-4
试验条件
2
3
绝缘电
阻
（Ri）
Y5V：
U
R
≥25V tgδ≤950×10
-4
U
R
=16V tgδ≤1300×10
-4
U
R
≤10V tgδ≤1600×10
-4
C0G/C0H(NP0)：
C≤10nF
时，Ri≥10000MΩ；C>10nF 时，Ri×C≥500s
X7R、X5R：
C≤25nF
时，
Ri≥4000MΩ
C>25nF
时，Ri×C≥100s
Y5V：
C≤25nF, Ri≥4000MΩ
C>25nF, Ri×C≥100s
温度：
18½28℃；
相对湿度：
≤RH 80%；
测试频率：
C0G/C0H(NP0)：
C≤1000pF，f=1MHz±10%；
C>1000pF，f=1KHz±10%
X7R、 X5R、 Y5V：
C≤100pF，f=1MHz±10%；
C>100pF，f=1KHz±10%
测试电压：
C≤100pF
1.0±0.2Vrms；
100pF＜C≤1μF 1.0±0.2Vrms
温度：
18½28℃；
相对湿度：
≤RH 80%；
½加额定电压
60±5
秒
C0G/C0H(NP0)：
3×U
R
X7R、X5R、Y5V：
2.5×U
R
t=1
分钟
充、放电电流不超过
50mA
4
耐电压
（TV）
无击穿或飞弧
注：2 类陶瓷电容器（X7R、X5R、Y5V）电容量测试说明：½测试电容器的初始电容量½于其允许偏差值
时，需对测试样品进行
150℃±10℃热处理 60±5
分钟，然后在室温条件下放½
24±2
小时，即去老化后再测
试其电容量。
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3.5
产品的技术要求和试验方法：
表
6
中“试验方法”，未做具½说明时，为依据
GB/T 21041/21042 IDT IEC60384-21/22
进行。
表
6
产品的技术要求和试验方法
条款
项目
技术要求
试验方法
预 先 干 燥 ：
16
½
24
小 时
C0G/C0H(NP0)：
C0G/C0H(NP0)，
α
c
≤ ±30ppm/℃ (125℃)；
在
25℃、
-55℃、
125℃下测量电容量，
-72≤α
c
≤+30ppm/℃ ( -55℃)；
符合相应的温度系数
α
c
；
(10pF
以下不测该项，由介质材料特性保证) 或
150℃、1
小时专门预处理后放½
24
小时（X7R、X5R、Y5V）
，分别
在
θ
1
、25℃、θ
2
下测量电容量，符合
电容量温度系
X7R、X5R：∆C/C
≤ ±15%
1
相应的电容量变化特性。
数或温度特性
X5R：
θ
1
=-55℃， θ
2
=85℃
X7R：
θ
1
=-55℃， θ
2
=125℃
Y5V：
θ
1
=-30℃， θ
2
=85℃
测试电压：
Y5V：-82%≤∆C/C≤+22%
0402 X7R 27nF
≤
C
≤
100nF
：
0.5
±
0.1Vrms
其他：
1.0±0.2Vrms
2
耐焊接热
外观： 无可见损伤，端面镀层的熔蚀（浸析）
150℃、1
小时专门预处理（X7R、
应不超过有关棱边长度的
25%
X5R、Y5V）后放½ 24±1
小时；
将测试电容在
110½150℃预热 30½
容量变化：
60
秒，浸入
260±5℃的锡½中 10±1
C0G/C0H(NP0)：
∆C/C ≤ ±2.5%
或
±0.25pF，取较大者；
秒，浸入深度
10mm；
然 后 在 室 温 放 ½
6
½
24
小 时
X7R、 X5R：
∆C/C≤±7.5%；
[C0G/C0H(NP0)]或 24±2
小时
（X7R、
Y5V：
∆C/C ≤ ±20%
X5R、Y5V）后进行外观检查与电性
tgδ
和
Ri：
满足表
5
初始指标。
½测试。
将测试电容浸入含松香的乙醇溶液
3-5
秒，
80½180℃预热 30½60
秒，
在
浸入
235±5℃的熔融锡液 2.0±0.2
秒，
浸入深度
10mm。
样品安装在试验基板上
（图
a）
如图
，
b
½加垂直方向的力，以
1mm/sec
的
速度弯曲
2mm，
停留
5±1
秒，并测
量电容量。
c
b
Ø4.5
3
可焊性
上锡良½，端头润湿率大于
75%
外观： 无可见损伤
40
图
a
4
端电极的
结合强度
100
50
20
速度：1.0mm/sec
压力
容量变化：
C0G/C0H(NP0)：
∆C/C ≤ ±5%
或
±0.5pF，取较大者；
X7R、X5R：
∆C/C ≤ ±12.5%；
Y5V：
∆C/C ≤ ±30%
R230
弯曲度≥1
45
45
(Unit：mm)
图
b
容 量 测 试 仪
微控制器 MCU
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