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苏东晨电子科技有限公司
JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,Ltd
T8××
双向可控硅
TRIAC
版本号
201603-A
产品概述
GENERAL DESCRIPTION
T8×
双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高，
×
适用于控温、调光、马达控制。
T8× Triacs is fabricated using separation diffusion processes ,the junction termination areas are passivated
×
with glass. Thanks to highly dv/dt and reliability,the Triacs series is suitable for domestic lighting ,heating and
motor speed controllers.
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
参数
Parameter
I
T(RMS)
V
DRM
/V
RRM
I
GT(III)
数值
Value
8
600&800
≤35
单½
Unit
A
V
mA
产品特性
dv/dt高
通态压降½
Rohs环保产品
FEATURES
Highly dv/dt
Low on-state voltage
Rohs Products
应用领域
APPLICATIONS
主要应用于调光、控温、马达控制。
domestic lighting ,heating and motor speed controllers.
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极限值
(除非另有规定，Tj=25℃)
ABSOLUTE RATINGS
(Tj=25℃,unless otherwise specified)
符号
Symbol
I
T(RMS)
RMS
通态电流
I
TSM
I
2
t
di/dt
I
GM
P
G(AV)
Tstg
Tj
参数
Parameter
T
C
=110℃
F=50H
Z ,
t=20ms
T
P
=10ms
F=120H
Z
,Tj=125℃
TP=20µs,Tj=125℃
Tj=125℃
数值
Value
8
60
36
50
4
1
-40-+150
-40-+150
单½
Unit
A
A
A
2
s
A/µs
A
W
℃
℃
RMS on-state current (full sine wave)
通态峰值浪涌电流
Non repetitive surge peak on-state current
I
2
t
耗散值
I
2
t value for fusing
通态电流上升值
Critical rate of rise of on-state current
门极峰值电流
Peak gate current
平均门极耗散功率
Average gate power
dissipation
贮存结温范围
Storage junction temperature range
工½结温范围
Operating junction temperature range
电参数
(除非另有规定，Tj=25℃)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj=25℃,unless otherwise specified)
参数
Parameter
触发电流
Gate trigger current
触发电压
Gate trigger voltage
维持电流
Holding current
擎½电流
Latching current
电压上升率
Rise of off- state voltage
通态压降
Peak on-state voltage
断态漏电流
Peak repetitive forward blocking current
符号
Symbol
I
GT
V
GT
Ⅰ½
Ⅲ
Ⅰ½
Ⅲ
I
H
I
L
dv/dt
V
TM
I
DRM
I
RRM
规范值
Value
T810
10
≤1.5
15
25
40
≤1.6
≤5
≤1
35
50
400
T835
35
单½
Unit
mA
V
mA
mA
V/μS
V
μA
mA
测试条件
Test Conditions
V
D
=12V,I
T
=0.1A
V
D
=12V, I
T
=0.1A
V
D
=12V,I
T
=0.1A
V
D
=12V,I
T
=0.1A
V
D
=67%V
DRM
I
T
=10A
V
RRM
=V
DRM,
T
j
= 25°
C
V
RRM
=V
DRM,
T
j
=125°
C
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热特性
THERMAL RESISTANCES
符号
Symbol
Rth(j-c)
参数
Parameter
IPAK
Junction to case(AC)
DPAK
D
2
PAK
IPAK
Rth(j-a)
Junction to ambient
DPAK
D
2
PAK
数值
Value
1.6
1.6
1.6
100
70
45
K/W
K/W
单½
Unit
ORDERING INFORMATION
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特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CURVES)
图2
RMS通态电流与Tc温度关系
Fig.2. RMS On-state Current Versus TL
图1 最大耗散功率与RMS通态电流关系
Fig.1.Maximum Power Dissipation Versus
on-state current
图3 通态特性
Fig.3.On-State Characteristics
图4 通态浪涌峰值电流与周期数关系
Fig.4.Surge Peak On-state Current Versus Number Cycles
图5
I
GT
、I
H
、I
L
相对值（相对于25℃）与结温关系
Fig.5.Relative Variation Of Gate Trigger Current
, Holding Current And Latching Current Versus Junction Temperature (Typical Value)
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封装尺寸
PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
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