CA-IS3760, CA-IS3761, CA-IS3762, CA-IS3763
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修订版
B
CA-IS376x
高速六通道数字隔离器
1
产品特性
信号传输速率:
DC to 150Mbps
½电源电压范围：2.5V
to 5.5V
½温度范围:
-40°C to 125°C
无需启动初始化
默认输出高电平和½电平选项
优异的电磁抗扰度
高
CMTI: ±100kV/µs (典型值)
½功耗，(典型值):
▪
电流为
1.5mA/通道（5V
电源供电
1Mbps
时）
▪
电流为
6.6mA/通道（5V
电源供电
100Mbps
时）
精确时序
(典型值)
▪
8ns
传播延迟
▪
1ns
脉冲½度失真
▪
2ns
传播延迟偏差
▪
5ns
最小脉冲½度
高达
5KV
RMS
的隔离电压
隔离栅寿½:
>40
年
具有½½端的三态输出
½密特触发器输入
窄½
SOIC16-NB（N）和½½ SOIC16-WB(W)
封装，
符合
RoHS
标准
•
•
•
•
•
•
•
•
每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅
(SiO2)
绝缘栅隔离。
CA-IS3760
六个通道½在同一个方
向上；
CA-IS3761
具有五个前向和一个反向通道,
CA-
IS3762
具有四个前向和两个反向通道，
CA-IS3763
具有
三个前向和三个反向通道. 所有设备½具有故障安全模
式选项。 如果输入功率或信号丢失，对于后缀为
L
的
设备，默认输出为½，对于带有后缀
H
的设备，默认
输出为高。
CA-IS376x
器件具有高绝缘½力，有助于防止数据总线
或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端，从而干扰
或损坏敏感电路。 高
CMTI
½力有望保证数字信号的正
确传输，
CA-IS376x
器件采用
16
引脚窄½
SOIC
和
16
引
脚½½
SOIC
封装。 所有产品均具有
3.75kVrms
的隔离
额定值，½½封装的产品支持绝缘耐压高达
5kVrms。
器件信息
零件号
CA-IS3760,
CA-IS3761,
CA-IS3762,
CA-IS3763
封装
SOIC16-NB (N)
SOIC16-WB(W)
封装尺寸(标称值)
9.90 mm × 3.90 mm
10.30 mm × 7.50 mm
•
•
•
•
•
•
简化通道结构图
Isolation
Barrrier
2
•
•
•
•
•
•
应用
工业自动化
电机控制
医疗电子
隔离开关电源
太阳½逆变器
隔离
ADC, DAC
Channel A side
Channel B side
Schmitt Trigger
VIN
Mixer
Driver
RX
Driver
VOUT
GNDA
GNDB
3
概述
CA-IS376x
是一款高性½八通道数字隔离器，具有精确
的时序特性和½电源损耗。 在隔离
CMOS
数字
I/O
时，
CA-IS376x
器件可提供高电磁抗扰度和½辐射. 所有器件
版本均具有½密特触发器输入，可实现高抗噪性½。
通道
A
和
B
被隔离电容隔开。
GNDA
和
GNDB
分别连接
A
侧信号和
B
侧电源隔离接地。
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B
目½
1
2
3
4
5
6
7
产品特性
............................................................1
应用
...................................................................1
概述
...................................................................1
订购指南
............................................................2
修订历史
............................................................3
引脚功½描述.....................................................4
产品规格
............................................................5
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
绝对最大额定值
1
..............................................5
ESD
额定值
.........................................................5
建议工½条件
.....................................................5
热量信息.............................................................
6
额定功率.............................................................
6
隔离特性.............................................................
7
安全相关认证
.....................................................8
电气特性.............................................................
9
7.8.1
7.8.2
V
DDA
= V
DDB
= 5 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C..........9
V
DDA
= V
DDB
= 3.3 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C.......9
7.8.3
V
DDA
= V
DDB
= 2.5 V ± 5%, T
A
= -40 to 125°C ........ 9
V
DDA
= V
DDB
= 5 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C ....... 10
V
DDA
= V
DDB
= 3.3 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C .... 11
V
DDA
= V
DDB
= 2.5 V ± 5%, T
A
= -40 to 125°C ...... 12
V
DDA
= V
DDB
= 5 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C... 13
V
DDA
= V
DDB
= 3.3 V ± 10%, T
A
= -40 to 125°C 13
V
DDA
= V
DDB
= 2.5 V ± 5%, T
A
= -40 to 125°C.. 13
7.9
电源电流特性
.................................................. 10
7.9.1
7.9.2
7.9.3
7.10
时序特性
.......................................................... 13
7.10.1
7.10.2
7.10.3
8
9
参数测量信息...................................................
14
详细说明
.......................................................... 16
9.1
9.2
9.3
工½原理
.......................................................... 16
功½框图
.......................................................... 16
真值表
.............................................................. 17
10
11
11.1
11.2
应用电路
................................................... 18
封装信息
................................................... 19
SOIC-16WB
½½外½尺寸
............................... 19
SOIC-16NB
窄½外½尺寸
................................ 20
TAPE AND REEL INFORMATION ................................. 21
5
修订历史
修订版
0:
初始版本.
修订版
0
到 修订版
A
•
更新
3
概述
•
更新表
4-1
▪
修改额定耐压
•
更新图
6-1
▪
修改引脚名称
•
更新表
6-1
▪
修改引脚名称
▪
加½½管脚描述
•
更新
7.6
绝缘规格
•
更新
11.1 SOIC 16
½½封装尺寸
修订版
A
到修订版
B
•
更新产品特性
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6
引脚功½描述
CA-IS3760 16-Pin SOIC NB/WB Top View
VDDA
VDDB
CA-IS3761 16-Pin SOIC NB/WB Top View
VDDA
VDDB
ISOLATION BARRIER
ISOLATION BARRIER
VI1
TX
RX
RX
RX
RX
RX
RX
VO1
VI1
TX
RX
RX
RX
RX
RX
VO1
VI2
TX
TX
VO2
VI2
TX
TX
VO2
VI3
VO3
VI3
VO3
VI4
TX
TX
VO4
VI4
TX
TX
RX
VO4
VI5
VO5
VI5
VO5
VI6
TX
VO6
VO6
TX
VI6
GNDA
GNDB
GNDA
GNDB
CA-IS3762 16-Pin SOIC NB/WB Top View
VDDA
VDDB
CA-IS3763 16-Pin SOIC NB/WB Top View
VDDA
VDDB
ISOLATION BARRIER
ISOLATION BARRIER
VI1
TX
RX
VO1
VI1
TX
RX
RX
RX
TX
TX
VO1
VI2
TX
TX
TX
RX
RX
RX
RX
TX
TX
VO2
VI2
TX
TX
RX
VO2
VI3
VO3
VI3
VO3
VI4
VO4
VO4
VI4
VO5
VI5
VO5
RX
RX
VI5
VO6
RX
VI6
VO6
TX
VI6
GNDA
GNDB
GNDA
GNDB
图
6-1 CA-IS376x
顶部视图
表
6-1 CA-IS376x
引脚功½描述
引脚名称
VDDA
VI1
VI2
VI3
VI4/VO4
VI5/VO5
VI6/VO6
GNDA
GNDB
VI6/VO6
VI5/VO5
VI4/VO4
VO3
VO2
VO1
VDDB
SOIC-16
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
类型
电源
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
地
地
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
电源
描述
A
侧电源电压
A
侧逻辑输入
A
侧逻辑输入
A
侧逻辑输入
CA-IS3760/61/62 A
侧逻辑输入/
CA-IS3763 A
侧逻辑输出
CA-IS3760/61 A
侧逻辑输入/
CA-IS3762/63 A
侧逻辑输出
CA-IS3760 A
侧逻辑输入/
CA-IS3761/62/63 A
侧逻辑输出
A
侧接地基准点
B
侧接地基准点
CA-IS3761/62/63 B
侧逻辑输入/CA-IS3760
B
侧逻辑输出
CA-IS3762/63 B
侧逻辑输入/
CA-IS3760/61 B
侧逻辑输出
CA-IS3763 B
侧逻辑输入/
CA-IS3760/61/62 B
侧逻辑输出
B
侧逻辑输出
B
侧逻辑输出
B
侧逻辑输出
B
侧电源电压
4
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产品规格
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7.1
绝对最大额定值
1
参数
最小值
-0.5
-0.5
-20
最大值
6.0
V
DDA
+0.5
3
20
150
150
单½
V
V
mA
°C
°C
V
DDA
, V
DDB
电源电压
2
V
in
输入电压
t Ax, Bx, ENx
I
O
输出电流
T
J
结温
T
STG
存储温度范围
-65
备注:
1，等于或超出上述绝对最大额定值可½会导致产品永久性损坏。这只是额定最值，并不½以这些条件或者在任½其它超出本技术规范
操½章节中所示规格的条件下，推断产品½否正常工½。长期在超出最大额定值条件下工½会½响产品的可靠性。
2，除差分 I / O
总线电压以外的所有电压值，均相对于本地接地端子（GNDA 或
GNDB）
，并且是峰值电压值。
3，最大电压不得超过 6 V。
7.2
ESD
额定值
人½模型
(HBM),
根据
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001,所有引脚
1
组件充电模式(CDM), 根据
JEDEC specification JESD22-C101,
所有引脚
2
数值
±4000
±1000
单½
V
V
ESD
静电放电
备注:
1，JEDEC
文件
JEP155
规定
500V HBM
可通过标准
ESD
控制过程实现安全制造。
2，JEDEC
文件
JEP157
规定
250V CDM
允许½用标准
ESD
控制过程进行安全制造。
7.3
建议工½条件
参数
电源电压
VDD
电源电压上升时的欠压阈值
VDD
电源电压下降时的欠压阈值
VDD
迟滞欠压阈值
高电平输出电流
V
DDO1
= 5V
V
DDO
= 3.3V
V
DDO
= 2.5V
V
DDO
= 5V
V
DDO
= 3.3V
V
DDO
= 2.5V
最小值
2.375
1.95
1.88
70
-4
-2
-1
典型值
3.3
2.24
2.10
140
最大值
5.5
2.375
2.325
250
单½
V
V
V
mV
mA
4
2
1
2.0
0
-40
0.8
150
125
V
DDA
, V
DDB
V
DD
（
UVLO+
）
V
DD
（
UVLO-
）
V
HYS
（
UVLO
）
I
OH
I
OL
½电平输出电流
mA
V
V
Mbps
°C
V
IH
输入阈值逻辑高电平
V
IL
输入阈值逻辑½电平
DR
信号传输速率
T
A
环境温度
备注:
1，V
DDO
=
输出侧
V
DD
27
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