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US1M

产品描述反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小18KB,共2页
制造商星海
官网地址http://www.czstarsea.cn
常州星海电子有限公司成立于1990年11月,是一家专业生产各种类型二极管的企业,目前已成为世界级的二极管生产基地之一。 公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司近几年通过了ISO9002国际质量标准体系、ISO9001:2008质量管理体系、以及ISO14001环境管理体系认证。并于2008年12月通过了ISO/TS 16949:2002认证。 公司拥有5000平方米的现代化办公区域。以及可以进行多种可靠性试验及检测的实验室,面积约为300平方米,配套设施较为齐全。从事研发的科技人员53人,其中科技骨干有25人,品质管理人员60人,高级专家3人,包括与中国电子科技大学合作从事研究的博导、教授5名,外籍专家1名,建有星海院士工作站。近几年来,共完成新产品和技术进步项目三十多项。取得授权专利18项,其中发明专利3项。 公司品种规格齐全,有普通整流(STD系列)、开关(DO-34、DO-35封装)、快速恢复(FR)、高效率(HER、UF)、超快速(SF)、肖特基(SKY)、双向触发管(DB3)、整流桥(MBS、ABS BRIDGE)、高反压(H.V.)以及瞬间突波电压吸收(TVS)、稳压(ZENER)、旁路二极管(PV)、恒流二极管(CRD)、SOD123、SOD323、SMA、SMB、SMC、SOD123FL等各种系列、多种封装形式的二极管,所有产品均符合欧盟的RoHS标准。 公司自1990年创建投产以来,长期得到国内外客户的信赖和支持,取得了长足的发展。我们将坚持奉行“创一流品质,满足客户需求”的质量方针,竭诚为新老顾客提供优质的服务。
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US1M概述

反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A

US1M规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)75ns
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.7V @ 1A

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US1A THRU US1M
SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
DO-214AC
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed
250 C/10 seconds at terminals
0.096(2.42)
0.078(1.98)
MECHANICAL DATA
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.222(5.66)
0.194(4.93)
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.002
ounce, 0.07 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
US1A US1B US1D US1G US1J
US1K US1M
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
=55 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
50
1.0
30.0
1.4
5.0
50.0
75
15.0
50.0
-65 to +150
1.7
Amps
Volts
µ
A
ns
pF
C/W
C
Note:1.Reverse
recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
STAR SEA
ELECTRONICS CO.,LTD.
R
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