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SS110

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小21KB,共2页
制造商星海
官网地址http://www.czstarsea.cn
常州星海电子有限公司成立于1990年11月,是一家专业生产各种类型二极管的企业,目前已成为世界级的二极管生产基地之一。 公司引进全套国外先进设备和科学管理体系,产品质量在国内外市场中享有良好的信誉。公司近几年通过了ISO9002国际质量标准体系、ISO9001:2008质量管理体系、以及ISO14001环境管理体系认证。并于2008年12月通过了ISO/TS 16949:2002认证。 公司拥有5000平方米的现代化办公区域。以及可以进行多种可靠性试验及检测的实验室,面积约为300平方米,配套设施较为齐全。从事研发的科技人员53人,其中科技骨干有25人,品质管理人员60人,高级专家3人,包括与中国电子科技大学合作从事研究的博导、教授5名,外籍专家1名,建有星海院士工作站。近几年来,共完成新产品和技术进步项目三十多项。取得授权专利18项,其中发明专利3项。 公司品种规格齐全,有普通整流(STD系列)、开关(DO-34、DO-35封装)、快速恢复(FR)、高效率(HER、UF)、超快速(SF)、肖特基(SKY)、双向触发管(DB3)、整流桥(MBS、ABS BRIDGE)、高反压(H.V.)以及瞬间突波电压吸收(TVS)、稳压(ZENER)、旁路二极管(PV)、恒流二极管(CRD)、SOD123、SOD323、SMA、SMB、SMC、SOD123FL等各种系列、多种封装形式的二极管,所有产品均符合欧盟的RoHS标准。 公司自1990年创建投产以来,长期得到国内外客户的信赖和支持,取得了长足的发展。我们将坚持奉行“创一流品质,满足客户需求”的质量方针,竭诚为新老顾客提供优质的服务。
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SS110概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A 100V,1A,VF=0.85V@1A

SS110规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)850mV @ 1A

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SS12 THRU SS1200
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Reverse Voltage - 20 to 200 Volts
DO-214AC
Forward Current - 1.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Low power loss,high efficiency
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
260 C/10 seconds at terminals
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
MECHANICAL DATA
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals:
leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.002
ounce, 0.07 grams
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.222(5.66)
0.194(4.93)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
SS12 SS13 SS14
SS15
SS16
SS18 SS110 SS1150 SS1200
UNITS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at T
L
(see fig.1)
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
1.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200
140
200
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
STG
110
0.45
0.55
0.5
10.0
30.0
0.70
5.0
90
88.0
-65 to +125
-65 to +150
-65 to +150
0.85
0.2
2.0
0.95
Amps
Volts
mA
pF
C/W
C
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
396
STAR SEA
分享: HDMI 720P 显示 源代码
本帖最后由 gvi-tech 于 2014-11-26 06:12 编辑 180003 回复可见。已在xilinx Spartan-6 FPGA 上验证。 ...
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