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TMA8N65H

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):64W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小520KB,共10页
制造商无锡紫光微
官网地址http://www.tsinghuaicwx.com/
无锡紫光微电子有限公司是由北京同方微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业,公司总部位于无锡新吴区的中国传感网国际创新园D2栋四层。 公司的团队是由一批在国内外著名半导体公司工作多年的具有丰富产品设计、经营管理经验的成员组成,不仅掌握了世界先进的产品研发与生产技术,而且拥有丰富的半导体公司经营管理经验。公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。 公司将秉承“用我们的努力和出色的产品服务客户,造福社会”的企业宗旨,将世界级水平的先进技术与中国市场相结合,打破国外企业高压大功率器件在国内的垄断,并致力在功率半导体领域成为技术先进、品质一流的专业的品牌供应商,为客户提供高性价比的产品与全方位的服务。 如今,紫光微电子给TMC以新的诠释——Thinking Makes Change!思考,带来改变!并因此提出了新的公司理念:“very TMC,very Innovation”,通过思维、服务、产品、商务、管理等创新来持续不断地满足客户日益提升的需求。
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TMA8N65H概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.1Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):64W(Tc) 类型:N沟道

TMA8N65H规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.1Ω @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)64W(Tc)
类型N沟道
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