Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> B5819W

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B5819W: 产品描述直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：600mV @ 1A 40V,1A; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小103KB，共3页; 制造商德昌; 官网地址http://www.takcheong.com; 1976年，德昌企业公司于香港正式注册成立，主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展，于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力，公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针，于1997年更名为德昌电子（集团）有限公司，成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业，全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。

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B5819W概述

直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：600mV @ 1A 40V,1A

B5819W规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	40V
平均整流电流（Io）	1A
正向压降（Vf）	600mV @ 1A

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TAK CHEONG

SEMICONDUCTOR

Flat Lead Plastic Package

Schottky Barrier Diode

Absolute Maximum Ratings

Symbol

STG

FSM

FRM

Power Dissipation

= 25°C unless otherwise noted

Value

500

-55 to +150

+150

1.5

Units

°C

Parameter

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Peak Forward Surge Current

(t=8.3ms Single Half Sine-wave)

Repetitive Peak Forward Current

These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

Specification Features:

For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling & polarity protection…

Flat Lead SOD-123 Small Outline Plastic Package

Surface Device Type Mounting

RoHS Compliant

Green EMC

Matte Tin(Sn) Lead Finish

Band Indicates Cathode

Weight: approx. 0.01g

DEVICE MARKING CODES:

Device Type

Device Marking

B5819W

Electrical Characteristics

Symbol

= 25°C unless otherwise noted

Parameter

Test Condition

Min

=1mA

=40V

=1A

=3A

Limits

Typ

0.90

120

Max

0.60

Volts

Unit

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

Diode Capacitance

=4V

f= 1MHz

Number: DB-237

Aug. 2012 Revision A

Page 1

B5819W

SOD-123 SURFACE MOUNT

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