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TCRB521S-30

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小163KB,共4页
制造商德昌
官网地址http://www.takcheong.com
1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。
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TCRB521S-30概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):500mV @ 200mA

TCRB521S-30规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)500mV @ 200mA

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TAK CHEONG
®
SEMICOND UC TOR
200mW SOD-523 SURFACE MOUNT
Very Small Outline Flat Lead Plastic Package
Schottky Barrier Diode
Absolute Maximum Ratings
Symbol
P
D
T
STG
T
J
V
R
I
F(AV)
I
FSM
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Surge Current
(At 8.3ms single half sine-wave)
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
200
-55 to +125
+125
30
200
1
Units
mW
°C
°C
V
mA
A
Parameter
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
Low Forward Voltage Drop
Flat Lead SOD-523 Small Outline Plastic Package
Extremely Small SOD-523 Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
DEVICE MARKING CODES:
Electrical Characteristics
Symbol
B
V
I
R
V
F
Breakdown Voltage
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Test Condition
I
R
=500µA
V
R
=10V
TCBAT42WS,
I
F
=200mA
30
30
0.5
Limits
Min
Max
Volts
µA
Volts
Unit
Reverse Leakage Current
Forward Voltage
May 2010, Revision F
Page 1
TCRB521S-30
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