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TC30VTB

产品描述精度:±5% 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:200nA @ 23V 最大功率:500mW 30V 500mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小78KB,共4页
制造商德昌
官网地址http://www.takcheong.com
1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。
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TC30VTB概述

精度:±5% 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:200nA @ 23V 最大功率:500mW 30V 500mW

TC30VTB规格参数

参数名称属性值
精度±5%
稳压值(典型值)30V
反向漏电流200nA @ 23V
最大功率500mW

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TAK CHEONG
SE MI COND U CTO R
500 mW DO-35 Hermetically
Sealed Glass Zener Voltage
Regulators
AXIAL LEAD
DO35
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
500
-65 to +175
+175
Units
mW
°C
°C
L
: Logo
Device Code : TCxxx
DEVICE MARKING DIAGRAM
L
xx
x
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
§
§
§
§
§
§
§
§
§
Zener Voltage Range 2.0 to 75 Volts
DO-35 Package (JEDEC)
Through-Hole Device Type Mounting
Hermetically Sealed Glass
Compression Bonded Construction
All External Surfaces Are Corrosion Resistant And Leads Are Readily Solderable
RoHS Compliant
Solder Hot Dip Tin (Sn) Terminal Finish
Cathode Indicated By Polarity Band
ELECTRICAL SYMBOL
Cathode
Anode
Electrical Characteristics
Device Type
TC2V0
TC2V2
TC2V4
TC2V7
TC3V0
TC3V3
TC3V6
TC3V9
TC4V3
TC4V7
TC5V1
TC5V6
TC6V2
TC6V8
TC7V5
TC8V2
TC9V1
TC10V
TC11V
TC12V
V
Z
@ I
ZT
(Volts)
Nominal
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
T
A
= 25°C unless otherwise noted
I
ZT
(mA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
Max
100
100
100
110
120
120
100
100
100
80
80
60
60
20
20
20
25
30
30
30
I
R
@ V
R
(µA)
Max
120
120
120
100
50
20
10
5
5
5
5
5
5
2
0.5
0.5
0.5
0.2
0.2
0.2
V
R
(Volts)
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
1
1.5
2.5
3
3.5
4
5
6
7
8
9
Number: DB-035
Jun 2016 / F
Page 1
TC2V0 through TC75V
®
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