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MMSZ9V1BW

产品描述精度:±2% 稳压值(典型值):9.1V 反向漏电流:450uA @ 6V 最大功率:500mW 9.1V 500mW
产品类别分立半导体    稳压二极管   
文件大小220KB,共5页
制造商德昌
官网地址http://www.takcheong.com
1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。
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MMSZ9V1BW概述

精度:±2% 稳压值(典型值):9.1V 反向漏电流:450uA @ 6V 最大功率:500mW 9.1V 500mW

MMSZ9V1BW规格参数

参数名称属性值
精度±2%
稳压值(典型值)9.1V
反向漏电流450uA @ 6V
最大功率500mW

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®
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
500mW SOD-123 SURFACE MOUNT
Flat Lead Surface Mount Plastic Package
Zener Voltage Regulators
Absolute Maximum Ratings
Symbol
P
D
T
STG
T
OPR
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
500
-65 to +150
-65 to +150
Units
mW
°C
°C
Green Product
Parameter
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
SOD-123 Flat Lead
Specification Features:
Wide Zener Voltage Range Selection, 2.0V to 75V
VZ Tolerance Selection of ±2% (B Series)
Flat Lead SOD-123 Plastic Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
Cathode
ELECTRICAL SYMBOL
Anode
Electrical Characteristics
Device
Type
MMSZ2V0BW
MMSZ2V2BW
MMSZ2V4BW
MMSZ2V7BW
MMSZ3V0BW
MMSZ3V3BW
MMSZ3V6BW
MMSZ3V9BW
MMSZ4V3BW
MMSZ4V7BW
MMSZ5V1BW
MMSZ5V6BW
MMSZ6V2BW
MMSZ6V8BW
MMSZ7V5BW
MMSZ8V2BW
MMSZ9V1BW
MMSZ10VBW
MMSZ11VBW
MMSZ12VBW
MMSZ13VBW
MMSZ15VBW
Device
Marking
Min
2V0B
2V2B
2V4B
2V7B
3V0B
3V3B
3V6B
3V9B
4V3B
4V7B
5V1B
5V6B
6V2B
6V8B
7V5B
8V2B
9V1B
10VB
11VB
12VB
13VB
15VB
1.95
2.14
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.80
10.78
11.76
12.74
14.70
T
A
= 25°C unless otherwise noted
V
Z
@ I
ZT
(Volts)
Nom
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
Max
2.05
2.26
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.22
12.24
13.26
15.30
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
ZT
(mA)
Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
Max
100
100
100
100
100
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
I
ZK
(mA)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
Max
564
564
564
564
564
564
564
564
564
470
451
376
141
75
75
75
94
141
141
141
160
188
I
R
@ V
R
(μA)
Max
120
120
45
18
9
4.5
4.5
2.7
2.7
2.7
1.8
0.9
2.7
1.8
0.9
0.63
0.45
0.18
0.09
0.09
0.09
0.045
V
R
(Volts)
0.5
0.7
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
4
4
5
5
6
7
8
8
8
10.5
Number: DB-086
January 2013, Revision E
Page 1
MMSZ2V0BW through MMSZ75VBW
STM32 PLL系统
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);// 外部晶振起震RCC_WaitForHSEStartUp(); ////RCC_HSICmd(ENABLE); //RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1,RCC_PLLMul ......
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