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TCBAV21W

产品描述反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小130KB,共5页
制造商德昌
官网地址http://www.takcheong.com
1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。
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TCBAV21W概述

反向恢复时间(trr):50ns 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 200mA

TCBAV21W规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)50ns
直流反向耐压(Vr)250V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1.25V @ 200mA

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SEMICONDUCTOR
400mW SOD-123 SURFACE MOUNT
Small Outline Flat Lead Plastic Package
High Voltage & High Conductance
Fast Switching Diode
Absolute Maximum Ratings
Symbol
P
D
T
STG
T
J
V
RRM
I
F(AV)
Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
400
-65 to +150
+150
250
200
Units
mW
°C
°C
V
mA
Parameter
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
Fast Switching Diode
General Purpose Diodes High Voltage Application Diodes
Flat Lead SOD-123 Small Outline Plastic Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
DEVICE MARKING CODE:
Device Type
BAV19W
BAV20W
BAV21W
Device Marking
H1
H2
H3
Electrical Characteristics
Symbol
B
V
Breakdown Voltage
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
BAV19W
BAV20W
BAV21W
Test Condition
I
R
=100µA
Limits
Min
120
200
250
V
R
=100V
V
R
=150V
V
R
=200V
I
F
=100mA
I
F
=200mA
---
---
---
---
---
Max
---
---
---
100
100
100
1.0
1.25
Volts
Volts
Volts
nA
nA
nA
Volts
Volts
Unit
I
R
Reverse Leakage Current
BAV19W
BAV20W
BAV21W
V
F
Forward Voltage
T
RR
Reverse Recovery Time
I
F
=I
R
=30mA
R
L
=100Ω
I
RR
=3mA
---
50
nS
C
Capacitance
V
R
=0V, f=1M
HZ
---
5.0
pF
Nov 2008 Release, Revision E
Page 1
BAV19W/BAV20W/BAV21W
TAK CHEONG
®
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