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TC1N4148WS(S1)

产品描述反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小184KB,共5页
制造商德昌
官网地址http://www.takcheong.com
1976年,德昌企业公司于香港正式注册成立,主力从事电子产品国际贸易。为配合业务不断发展,于1985年更名为德昌电子有限公司。经不断努力,公司逐步将业务扩展至半导体制造领域。为融合制造业务的扩展及集团化的发展方针,于1997年更名为德昌电子(集团)有限公司,成为一家集生产和贸易为一体的综合性国际企业,全资附属机构包括汕尾德昌电子有限公司和德昌半导体有限公司。
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TC1N4148WS(S1)概述

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA

TC1N4148WS(S1)规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)4ns
直流反向耐压(Vr)75V
平均整流电流(Io)150mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA

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TAK CHEONG
®
SEMICONDUCTOR
200mW SOD-323 SURFACE MOUNT
Small Outline Flat Lead Plastic Package
Fast Switching Diode
Absolute Maximum Ratings
Symbol
P
D
T
STG
T
J
V
RSM
V
RRM
I
FRM
I
O
I
FSM
Power Dissipation
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
200
-65 to +150
+150
100
75
300
150
2
Units
mW
°C
°C
V
V
mA
mA
A
Parameter
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Reverse Voltage
Repetitive Peak Forward Current
Continuous Forward Current
Peak Forward Surge Current
(Pulse Width=1us)
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Specification Features:
Fast Switching Device (T
RR
<4.0 nS)
General Purpose Diodes
Flat Lead SOD-323 Small Outline Plastic Package
Surface Device Type Mounting
RoHS Compliant
Green EMC
Matte Tin(Sn) Lead Finish
Band Indicates Cathode
DEVICE MARKING CODE:
Device Type
Device Marking
1N4148WS
S1
1N4448WS
S2
1N914BWS
S3
Electrical Characteristics
Symbol
B
V
Breakdown Voltage
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Test Condition
I
R
=100µA
I
R
=5µA
Limits
Min
100
Volts
75
25
5
0.62
0.72
1.0
1.0
Volts
nA
µA
Max
Unit
I
R
Reverse Leakage Current
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
Forward Voltage
1N4448WS, 1N914BWS
TC1N4448WS,
1N4148WS
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=10mA
I
R
=60mA
1N4448WS, 1N914BWS
T
RR
Reverse Recovery Time
4
R
L
=100Ω
I
RR
=1mA
C
Capacitance
V
R
=0V, f=1M
HZ
4
nS
pF
Number: DB-009
July 2011 Release, Revision F
Page 1
1N4148WS/1N4448WS/1N914BWS
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