R
N
沟道增强型场效应晶½管
N- CHANNEL MOSFET
JCS650
主要参数
ID
VDSS
MAIN CHARACTERISTICS
28.0A
200 V
85mΩ
103nC
封装
Package
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 81pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 81pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
器件重量
Device
Weight
2.06 g(typ)
2.22 g(typ)
1.93 g(typ)
1.93 g(typ)
订 货 型 号
Order codes
JCS650C-O-C-N-B
JCS650F-O-F-N- B
JCS650S-O-S-N- A
JCS650S-O-S-N-B
印
记
Marking
JCS650C
JCS650F
JCS650S
JCS650S
封
装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-263
TO-263
无卤素
Halogen Free
否
否
否
否
NO
NO
NO
NO
包
装
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
卷盘
Reel
条管
Tube
版本：201510D
1/11
R
JCS650
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
数 值
Value
项
目
Parameter
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
V
GSS
28.0
17.7
112
±30
588
28
15.8
5.5
158
50
5.0
JCS650C
JCS650S
200
28.0*
17.7*
112*
JCS650F
单 ½
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
绝对最大额定值
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current -continuous
最大脉冲漏极电流（注
1）
Drain Current -pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
E
AS
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注
1）
Avalanche Current
（note
1）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
耗散功率
Power Dissipation
1.265
0.40
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201510D
2/11
R
JCS650
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current, reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
2879 3742 pF
362 470
81
105
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
-
-
68
BV
DSS
I
D
=250μA, V
GS
=0V
200
-
-
V
V/℃
μA
μA
nA
ΔBV
DSS
I
D
=250μA, referenced to
/ΔT
J
25℃
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
DS
=200V, V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=160V, T
C
=125℃
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-
-
-
0.19
-
-
-
-
-
1
10
100
-100 nA
4.0
85
V
mΩ
S
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=14.0A
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=14.0A
（note
4）
24
-
版本：201510D
3/11
R
JCS650
项
目
Parameter
符 号
Symbol
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=160V ,
I
D
=28A
V
GS
=10V（note 4，5）
测试条件
Tests conditions
V
DD
=100V,I
D
=28A,R
G
=25Ω
V
GS
=10V
（note
4，5）
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
-
-
-
-
-
-
-
28
69
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching –Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
251 494
309 617
220 412
103 136
16
53
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
-
-
28
A
I
SM
-
-
112
A
V
GS
=0V, I
S
=28A
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=28A
dI
F
/dt=100A/μs (note 4)
218
1.91
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=1.5mH, I
AS
=28A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
R
G
=25 Ω,起始结温
符 号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-A)
最大值
Value
JCS650C/S
0.79
62.5
JCS650F
2.48
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=1.5mH, I
AS
=28A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
,起始结温 T
J
=25
℃
3：
SD
≤28A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
I
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：基本与工½温度无关
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201510D
4/11
R
JCS650
Capacitance Characteristics
5.0x10
4.5x10
4.0x10
3
Gate Charge Characteristics
12
3
3
C
iss
Capacitance [pF]
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=40V
10
V
DS
=100V
3.5x10
3.0x10
2.5x10
2.0x10
1.5x10
1.0x10
5.0x10
3
3
3
V
GS
Gate Source Voltage[V]
8
6
V
DS
=160V
3
3
4
3
C
oss
C
rss
0
2
2
0.0
10
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Notes:
I
D
=28A
100
110
120
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201510D
5/11
PCB设计
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