R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS6N90H
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
6 A
I
D
900 V
V
DSS
3.0
Ω
Rdson-max
（@Vgs=10V）
14 nC
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
APPLICATIONS
封装
Package
efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 9pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
High
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 9pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
TO-262N
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS6N90CH
JCS6N90FH
JCS6N90B
封
装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-262N
JCS6N90CH-C-B
JCS6N90FH-F-B
JCS6N90B-BP-B
JCS6N90CH-C-BR
JCS6N90CH-F-BR
JCS6N90B-BP-BR
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
版本：201806E
1/11
R
JCS6N90H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
6
3.8
24
数 值
Value
JCS6N90CH/B
900
6*
3.8*
24*
JCS6N90FH
单
½
Unit
V
A
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
V
GSS
±30
V
E
AS
650
mJ
I
AR
6
A
E
AR
16.7
mJ
dv/dt
4.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
167
58
W
1.43
0.48
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806E
2/11
R
JCS6N90H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1320 1716
105
9
136
12
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
3.0
-
5.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
900
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
V
DS
=900V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=720V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
1.05
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
1
10
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.0A
-
2.6
3.0
Ω
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=3.0A
（note
4） -
5.6
-
S
版本：201806E
3/11
R
JCS6N90H
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=720V ,
I
D
=6A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=450V,I
D
=6A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
34
75
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
85 155
56 113
59 118
14
5
6
19
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
6
A
I
SM
-
-
24
A
V
GS
=0V,
I
S
=6A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=6A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
625
6.71
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
符 号
Symbol
R
th(j-c)
最大
Max
JCS6N90CH/B
0.78
62.5
Notes:
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=33.0mH, I
AS
=6A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤6A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=2.0mH, I
AS
=6A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤6A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
JCS6N90FH
2.3
62.5
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
结到环境的热阻
R
th(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
版本：201806E
4/11
R
JCS6N90H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
10
I
D
[A]
150℃
1
25
℃
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
0.1
2
4
6
8
10
V
G S
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
I
D R
[A]
150
℃
1
25
℃
Notes:
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
SD
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Capacitance Characteristics
2x10
3
V [V]
Gate Charge Characteristics
Capacitance [pF]
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
C
iss
1x10
3
C
oss
C
rss
0
10
-1
10
0
10
1
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
版本：201806E
5/11
模拟与混合信号
京公网安备 11010802033920号
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