Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> HBR10200S-220HF

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HBR10200S-220HF: 产品描述直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：2 x 5A 正向压降（Vf）：930mV @ 5A; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小660KB，共9页; 制造商吉林华微; 官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164; 华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。

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HBR10200S-220HF概述

直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：2 x 5A 正向压降（Vf）：930mV @ 5A

HBR10200S-220HF规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	200V
平均整流电流（Io）	2 x 5A
正向压降（Vf）	930mV @ 5A

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肖特基势垒二极管

SCHOTTKY BARRIER DIODE

HBR10200S

主要参数

F(AV)

RRM

F(max)

MAIN CHARACTERISTICS

10（2×5）A

200 V

175

℃

0.75V

（@Tj=125℃）

封装

Package

TO-22OC

TO-22OHF

用途

APPLICATIONS



High frequency switch



高频开关电源

power supply



½压续流电路和保护电



Free wheeling diodes,

路

polarity protection

applications

TO-220MF-K1

TO-263

产品特性



共阴结构



½功耗，高效率



良½的高温特性



有过压保护环，

高可靠性



环保（RoHS）产品

FEATURES



Common cathode structure



Low power loss, high efficiency



High Operating Junction

Temperature



Guard ring for overvoltage

protection，High reliability



RoHS product

DPAKM

订货信息

ORDER MESSAGE

订货型号

Order codes

有卤-条管

Halogen-Tube

无卤-条管

Halogen Free-Tube

有卤-编带

Halogen-Reel

无卤-编带

Halogen Free-Reel

印

记

Marking

HBR10200S

封

装

Package

TO-220C

HBR10200S-C-B

HBR10200S-FA-B

HBR10200S-F1-B

HBR10200S-S-B

N/A

HBR10200S-C-BR

HBR10200S-FA-BR

HBR10200S-F1-BR

HBR10200S-S-BR

N/A

HBR10200S-S-A

HBR10200S-RM-A

N/A

HBR10200S-S-AR

HBR10200S-RM-AR

TO-220HF

TO-220MF-K1

TO-263

DPAKM

版本(Rev.)：201806F

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