R
JCS6N70C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
JCS6N70CC/SC/BC/VC/
RC/MPC
700
6.0
3.9
24
JCS6N70FC
700
6.0*
3.9*
24*
单
½
Unit
V
A
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
V
GSS
±30
V
E
AS
270
mJ
雪崩电流
（注
1）
I
AR
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche
Energy（note 1）
二极管反向恢复最大电压变
化速率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
E
AR
6.0
A
11.8
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
，T
STG
120
1.04
40
0.31
W
W/℃
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201807M
3/20
R
JCS6N70C
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1620 1890 pF
125 170
14
20
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
referenced
to
700
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,
T
J
25℃
-
0.73
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=700V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=560V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.0A
-
1.26 1.6
Ω
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=6.0A
（note
4） -
4.9
-
S
版本：201807M
4/20
R
JCS6N70C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=560V ,
I
D
=6A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=350V,I
D
=6A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
11
35
46
40
31
6
15
31
80
95
92
41
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction
to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=14mH, I
AS
=6.0A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25
℃
℃
R
G
=25 Ω,起始结
I
S
-
-
6
A
I
SM
-
-
24
A
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=6.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=6.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
345
3.2
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
Max
符 号
Symbol
JCS6N70VC/RC/CC/SC/BC/MPC JCS6N70FC
Rth(j-c)
1.04
3.2
单 ½
Unit
℃/W
R
th(j-A)
62.5
Notes:
62.5
℃/W
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2
：
L=14mH, I
AS
=6.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤6.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
3
：
I
SD
≤6.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,
起 始 结 温
T
J
=25
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
版本：201807M
5/20
微控制器 MCU
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
