R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS1SN60C
主要参数
I
D
V
DSS
Rdson-max
（Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
MAIN CHARACTERISTICS
0.6A
1.2 A
600 V
8.5Ω
4.5nC
TO-92
IPAK/DPKA
封装
Package
APPLICATIONS
High
efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 4.9pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 4.9pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
TO-92
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS1SN60TC-O-T-N-A
JCS1SN60VC-O-V-N-B
JCS1SN60RC-O-R-N-B
印
记
封
装
无卤素
Halogen Free
否
否
否
NO
NO
NO
包
装
器件重量
Device
Weight
0.216 g(typ)
0.350 g(typ)
0.300 g(typ)
Marking
JCS1SN60TC
JCS1SN60VC
JCS1SN60RC
Package
TO-92
IPAK-S2
DPAK
Packaging
编带
Brede
条管
Tube
条管
Tube
版本：201510B
1/11
R
JCS1SN60C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
目
符
号
数 值
Value
JCS1SN60TC
600
0.6
0.36
2.0
JCS1SN60VC/RC
600
1.2
0.75
4.0
单 ½
Unit
V
A
A
A
项
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single
Pulsed
Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速
率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating
and
Temperature Range
V
GSS
±
30
V
E
AS
48
mJ
I
AR
1.0
A
E
AR
3.6
mJ
dv/dt
4.0
4.0
V/ns
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
Storage
T
J
，T
STG
3.0
0.025
30
0.24
W
W/℃
-55½+150
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201510B
2/11
R
JCS1SN60C
项
目
符
号
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
Parameter
Symbol
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
247 319
23
30
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
600
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ
I
D
=1mA, referenced to 25℃
T
J
I
DSS
V
DS
=600V,V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=480V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
0.60
-
-
-
-
10
100
100
V/℃
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=0.6A
-
8
8.5
Ω
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=0.5（note 4）
-
0.8
-
S
4.9 6.4
版本：201510B
3/11
R
JCS1SN60C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=1.2A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=300V,I
D
=1.2A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
15
26
37
1.0
2.5
45
62
82
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
46 105
4.5 4.9
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
1.2
A
I
SM
-
-
4.8
A
V
GS
=0V,
I
S
=1.2A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=1.2A
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
-
-
185
0.51
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符 号
Symbol
R
th(j-c)
R
th(j-A)
Notes:
1
：
Pulse width limited by maximum junction
R
G
=25 Ω,起始结
temperature
2：L=59mH, I
AS
=1.2A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω, Starting
T
J
=25℃
3
：
I
SD
≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
Parameter
最大
Max
JCS1SN60TC JCS1SN60VC/RC
－
120
4.75
105
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=59mH, I
AS
=1.2A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
版本：201510B
4/11
R
JCS1SN60C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
Top
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
10
[A]
1
150
℃
I
D
[A]
1
(on )
I
DS
25
℃
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
1
10
0.1
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
13
12
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
R
DS (on )
[ Ω ]
11
V
GS
=20V
9
8
7
I
DR
[A]
10
1
V
GS
=10V
150
℃
25
℃
Note
：
T
j
=25
℃
6
5
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本：201510B
5/11
51单片机
京公网安备 11010802033920号
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