R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS50N06H
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
I
D
V
DSS
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
UPS
电源
50 A
60 V
23 mΩ
34 nC
封装
Package
APPLICATIONS
High frequency switch
mode power supplies
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS50N06VH
JCS50N06RH
JCS50N06CH
JCS50N06FH
封
装
Package
IPAK
DPAK
TO-220C
TO-220MF
JCS50N06VH-V-B
JCS50N06RH-R-B
JCS50N06CH-C-B
JCS50N06FH-F-B
JCS50N06VH-V-BR
JCS50N06RH-R-BR
JCS50N06CH-C-BR
JCS50N06FH-F-BR
N/A
JCS50N06RH-R-A
N/A
N/A
N/A
JCS50N06RH-R-AR
N/A
N/A
版本：201806E
1/11
R
JCS50N06H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
JCS50N06RH/VH JCS50N06CH
60
50
31.7
200*
50*
31.7*
单 ½
JCS50N06FH Unit
V
A
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
-continuous
最大脉冲漏极电流
(注 1)
Drain Current – pulse（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
(注 2)
Single Pulsed Avalanche Energy
（note
2）
雪崩电流
(注 1)
Avalanche Current（note 1）
V
GSS
±20
V
E
AS
500
mJ
I
AR
50
A
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Energy（note E
AR
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率
(注 3)
8.75
10.3
5.6
mJ
dv/dt
7.0
V/ns
Peak Diode Recovery dv/dt note 3）
（
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
87.5
103.8
56
W
耗散功率
Power Dissipation
0.70
0.83
0.45
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature T
J
，T
STG
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806E
2/11
R
JCS50N06H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
900 1125
430
80
540
100
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
60
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
I
DSS
V
DS
=60V,V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=48V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
1
10
100
V/℃
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=25A
-
19
23
mΩ
g
fs
V
DS
= 30V, I
D
=25A（note 4）
-
30
-
S
版本：201806E
3/11
R
JCS50N06H
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=48V ,
I
D
=50A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=30V,I
D
=50A,R
G
=50Ω
V
GS
=10V
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
40
90
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
100 210
90 190
80 170
34
7
17
45
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
50
A
I
SM
-
-
200
A
V
GS
=0V,
I
S
=50A
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=50A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
50
80
-
-
ns
nC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
最大
Max
符 号
单 ½
Symbol JCS50N06RH/VHJCS50N06CHJCS50N06FH Unit
R
th(j-c)
1.43
1.20
62.5
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
R
G
=25 Ω,起始
temperature
2：L=0.4mH, I
AS
=50A, V
DD
=25V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
2.22
℃/W
℃/W
结到环境的热阻
R
th(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=0.4mH, I
AS
=50A, V
DD
=25V,
结温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
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JCS50N06H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
100
特征曲线
On-Region Characteristics
100
V
GS
15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
I
D
[A]
I
D
[A]
150
℃
10
25
℃
10
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
1
10
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
1
4
6
8
10
12
0.1
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
100
I
DR
[A]
150
℃
25
℃
Notes:
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
10
0.5
1.0
1.5
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
2.0x10
3
Gate Charge Characteristics
12
Capacitance [pF]
V
GS
Gate Source Voltage[V]
1.5x10
3
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=48V
10
V
DS
=30V
V
DS
=12V
8
1.0x10
3
C
iss
6
4
5.0x10
2
C
oss
C
rss
2
0.0
10
0
0
10
1
10
2
0
10
20
30
40
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201806E
5/11
消费电子
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