R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS2N60B
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson（Vgs=10V）
-MAX
Qg-TYP
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED
电源
2.0 A
600 V
4.5 Ω
5.9nC
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
LED power supplies
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical2.33pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½C
rss
(典型值 2.33pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS2N60VB
JCS2N60VB
JCS2N60RB
JCS2N60CB
JCS2N60FB
JCS2N60MB
JCS2N60MFB
封
装
Package
IPAK
IPAK-S2
DPAK
TO-220C
TO-220MF
TO-126-K1
TO-126F
JCS2N60VB-V-B
JCS2N60VB-V2-B
JCS2N60RB-R-B
JCS2N60CB-C-B
JCS2N60FB-F-B
JCS2N60MB-M-B
JCS2N60MB-MF-B
JCS2N60VB-V-BR
JCS2N60VB-V2-BR
JCS2N60RB-R-BR
JCS2N60CB-C-BR
JCS2N60FB-F-BR
JCS2N60MB-M-BR
JCS2N60MFB-MF-BR
N/A
N/A
JCS2N60RB-R-A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS2N60RB-R-AR
N/A
N/A
N/A
N/A
版本：201806K
1/16
R
JCS2N60B
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
JCS2N60VB/RB
/MB/MFB
JCS2N60CB
JCS2N60FB
单
½
Unit
V
2.0*
1.3*
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电
压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain
Current-continuous
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
1.9
1.1
600
2.0
1.3
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current – pulse
I
DM
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed
Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current note
（
1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche
Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电
压变化速率
（注
3）
Peak Diode Recovery
dv/dt
（note
3）
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
V
GSS
6.0
6.0*
A
±30
V
E
AS
240
mJ
I
AR
1.9
A
E
AR
4.4
mJ
dv/dt
4.5
V/ns
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
，T
STG
B
43.6
0.35
53.9
0.43
40.5
0.32
W
W/
℃
℃
B
-55½+150
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806K
2/16
R
JCS2N60B
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
B
B
B
B
600
-
-
V
击穿电压温度特性
I
D
=1mA, referenced to
Breakdown Voltage Temperature ΔBV
DSS
/ΔT
J
25℃
Coefficient
B
B
-
0.6
-
V/℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
I
DSS
V
DS
=600V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
B
B
B
B
B
B
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=480V,
B
B
T
C
=125℃
B
B
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
B
B
B
B
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
B
B
2.0
-
4.0
V
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=1A
-
3.8 4.5
Ω
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=1.0A
（note
4） -
2.05
-
S
动态特性
Dynamic Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
B
-
-
-
266 560
37.4 70
2.33 10
pF
pF
pF
B
版本：201806K
3/16
R
JCS2N60B
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=2.0A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=300V,I
D
=2.0A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
17.2 50
132 280
25.5 60
11
1.24
1.9
35
-
-
5.9 11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
1.9
A
I
SM
-
-
6.0
A
V
GS
=0V,
I
S
=2.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=2.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
230
1.0
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to
Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：
L=110mH, I
AS
=2.0A, V
DD
=50V,
温T
J
=25℃
3：I
SD
≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25
℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
版本：201806K
4/16
R
G
=25 Ω,起始结
符 号
单 ½
Symbol
JCS2N60VB/RB JCS2N60C
Unit
JCS2N60FB
/MB/MFB
B
R
th(j-c)
2.87
2.32
3.09
℃/W
最大
Max
R
th(j-A)
110
62.5
40.88
℃/W
Notes:
1：
Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=110mH, I
AS
=2.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤2A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
R
JCS2N60B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
Top
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
I
D
[A]
I
1
D
[A]
150
℃
1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
1
10
0.1
2
4
25
℃
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
7.5
7.0
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
R
DS(on)
[ Ω ]
6.5
6.0
I
DR
[A]
V
GS
=10V
1
25
℃
5.5
V
GS
=20V
5.0
150
℃
Note
：
T
j
=25
℃
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.5
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
4.0
I
D
[A]
V
S D
[V]
Capacitance Characteristics
10000
Ciss
Coss
Crss
1000
Gate Charge Characteristics
)
F
p
(
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
100
10
1
0.1
0.1
1
Voltage(V)
10
100
版本：201806K
5/16
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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