R
N
沟道增强型场效应晶½管
N- CHANNEL MOSFET
JCS13N50FT
主要参数
ID
VDSS
Qg-typ
MAIN CHARACTERISTICS
13 A
500 V
37 nC
封装
Package
Rdson-max @Vgs=10V） 0.46Ω
（
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
APPLICATIONS
High frequency
switching mode
power supply
Electronic ballast
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 25pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 25pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS13N50FT
封
装
Package
TO-220MF
JCS13N50FT-F-B
JCS13N50FT-F-BR
N/A
N/A
版本：201806E
1/8
R
JCS13N50FT
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
数 值
Value
500
13.0*
8*
52*
±30
845
13.0
5.0
4.5
50
0.4
-55½+150
300
单 ½
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
项
目
Parameter
绝对最大额定值
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current -Continuous
最大脉冲漏极电流（注
1）
Drain Current -Pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流（注
1）
Avalanche Current
（note
1）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche Energy（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
，T
STG
T
L
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201806E
2/8
R
JCS13N50FT
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
BV
DSS
I
D
=250μA, V
GS
=0V
500
-
-
V
V/℃
μA
μA
nA
ΔBV
DSS
I
D
=250μA, referenced to
/ΔT
J
25℃
I
DSS
V
DS
=500V, V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=400V, T
C
=125℃
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-
-
-
0.53
-
-
-
-
-
10
100
100
正向栅极½漏电流
I
GSSF
Gate-body Leakage Current, Forward
反向栅极½漏电流
I
GSSR
Gate-body Leakage Current, Reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input Capacitance
输出电容
Output Capacitance
反向传输电容
Reverse Transfer Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS(th)
-100 nA
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
3.0
-
-
-
5.0
V
Ω
S
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=6.5A
g
fs
0.37 0.46
15
-
V
DS
= 40V , I
D
=6.5A（note 4）
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1560 2090 pF
210 260
25
30
pF
pF
版本：201806E
3/8
R
JCS13N50FT
项
目
Parameter
符 号
Symbol
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=400V ,
I
D
=13A
V
GS
=10V（note 4，5）
测试条件
Tests conditions
V
DD
=250V,I
D
=13A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
-
-
-
-
-
-
-
90
180
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching –Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
反向恢复电荷
Reverse Recovery Charge
V
SD
160 270
150 260
60
37
10.9
17.2
140
50
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
-
-
13
A
I
SM
-
-
52
A
V
GS
=0V, I
S
=13A
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=13A
dI
F
/dt=100A/μs (note 4)
410
4.5
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注
1：脉冲½度由最高结温限制
注
2：L=9.0mH, I
AS
=13A, V
DD
=50V,
结温
T
J
=25℃
注
3：I
SD
≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
,起始结
温
T
J
=25℃
注
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
注
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始
符 号
Symbol
Rth(j-c)
Rth(j-A)
Notes:
最大值
Max
JCS13N50FT
2.50
62.5
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：
L=9.0mH, I
AS
=13A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting T
J
=25℃
3：I
SD
≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201806E
4/8
R
JCS13N50FT
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
On-Region Characteristics
Transfer Characteristics
IF vs VF
IR vs VR
Top:
Vgs
15.0V
10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.5V
Buttom : 5.5V
10
I
D
Drain Current[A]
10
1
I
D
Drain Current[A]
25
℃
1
150
℃
0.1
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
10
0
10
0
10
1
V
DS
Drain-Source Voltage[V]
V
GS
Gate-Source Voltage[V]
On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
0.6
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
IF(AV)
10
IF(AV)
vs
TC
vs
TC
R
DS(on)
Drain-Source On Resistance [Ω]
V
GS
=10V
0.4
V
GS
=20V
I
DR
Reverse Drain Current[A]
1
150
℃
25
℃
0.2
0
5
10
15
20
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
D
Drain Current [A]
V
SD
Source-Drain voltage[V]
Capacitance Characteristics
IF(AV)
vs
TC
12
Capacitance Characteristics
IF(AV)
vs
TC
V
DS
=400V
10
V
GS
Gate Source Voltage[V]
V
DS
=250V
V
DS
=100V
8
6
4
2
0
0
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
10
20
30
40
版本：201806E
5/8
国产芯片交流
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
