Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> JCS7N60FB-220MF

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JCS7N60FB-220MF: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小898KB，共13页; 制造商吉林华微; 官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164; 华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年330万片，封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品，成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。

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JCS7N60FB-220MF概述

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道

JCS7N60FB-220MF规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	7A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	1.2Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	48W(Tc)
类型	N沟道

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N 沟道增强型场效应晶½管

N-CHANNEL MOSFET

JCS7N60B

主要参数

MAIN CHARACTERISTICS

DSS

Rdson-max

（@Vgs=10V）

Qg-typ

用途



高频开关电源



电子镇流器



LED

电源

7.0 A

600 V

1.2Ω

25 nC

APPLICATIONS



High

封装

Package

efficiency switch

mode power supplies



Electronic lamp ballasts

based on half bridge



LED power supplies

FEATURES



Low gate charge



Low C

rss

(typical 23pF )



Fast switching



100% avalanche tested



Improved dv/dt capability



RoHS product

产品特性



½栅极电荷



rss

(典型值 16pF)



开关速度快



产品全部经过雪崩测试



高抗

dv/dt

½力



RoHS

产品

订货信息

ORDER MESSAGE

订货型号

Order codes

有卤-条管

Halogen-Tube

无卤-条管

Halogen-Free-Tube

有卤-编带

Halogen-Reel

无卤-编带

Halogen-Free-Reel

印

记

Marking

JCS7N60BB

JCS7N60SB

JCS7N60CB

JCS7N60FB

JCS7N60CB

封

装

Package

TO-262

TO-263

TO-220C

TO-220MF

TO-220C-S1

JCS7N60BB-B-B

JCS7N60SB-S-B

JCS7N60CB-C-B

JCS7N60FB-F-B

JCS7N60CB-C1-B

JCS7N60BB-B-BR

JCS7N60SB-S-BR

JCS7N60CB-C-BR

JCS7N60FB-F-BR

JCS7N60CB-C1-BR

N/A

JCS7N60SB-S-A

N/A

JCS7N60SB-S-AR

N/A

版本：201806B

1/13

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