R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN CHARACTERISTICS
20（2×10）A
200 V
175
℃
0.75V
（@Tj=125℃）
封装
Package
TO-22OC
TO-22OHF
用途
APPLICATIONS
High frequency switch
高频开关电源
power supply
½压续流电路和保护电
Free wheeling diodes,
路
polarity protection
applications
TO-263
产品特性
共阴结构
½功耗，高效率
良½的高温特性
有过压保护环，
高可靠性
环保（RoHS）产品
FEATURES
Common cathode structure
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection，High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen Free-Reel
印
记
Marking
HBR20200
HBR20200
HBR20200
封
装
Package
T
O-220C
HBR20200-C-B
HBR20200-FA-B
HBR20200-S-B
HBR20200-C-BR
HBR20200-FA-BR
HBR20200-S-BR
N/A
N/A
HBR20200-S-A
N/A
N/A
HBR20200-S-AR
TO-220HF
TO-263
版本(Rev.)：201806K
1/7
R
HBR20200
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
绝对最大额定值
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
Average forward
current
T
C
=150℃
(TO-220C/TO-263)
T
C
=125℃
(TO-220HF)
整个器件
per device
符 号
Symbol
V
RRM
V
DC
数 值
Value
200
200
20
单 ½
Unit
V
V
I
F(AV)
单
侧
per diode
10
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负½½
8.3ms
半正弦波—按
JEDEC
方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
I
FSM
200
A
T
j
T
STG
175
-40~+150
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
I
R
V
F
测试条件
Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
V
R
=V
RRM
I
F
=10A
0.83
0.68
最小值
典型值
最大值
Value(min) Value(typ) Value(max)
10
6
0.93
0.75
单½
Unit
μA
mA
V
V
热特性
THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220C
TO-263
TO-220HF
符 号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
单 ½
Value(max) Unit
1.8
1.8
3.5
R
th(j-c)
℃/W
版本(Rev.)：201806K
2/7
FPGA/CPLD
京公网安备 11010802033920号
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