R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS4N60C
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Typ
Rdson
（Vgs=10V） Max
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED
电源
4.0 A
600 V
2.0Ω
2.5Ω
17.5nC
APPLICATIONS
High frequency switching
mode power supply
Electronic ballast
LED power supply
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 3.06pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 3.06pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
无卤-条管
有卤-编带
有卤-条管
印
记
Marking
JCS4N60V
JCS4N60V
JCS4N60C
JCS4N60F
JCS4N60F
JCS4N60R
JCS4N60B
封
装
Package
IPAK
IPAK-S2
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF-K2
DPAK
TO-262
Halogen-Tube
JCS4N60VC-V-B
JCS4N60VC-V2-B
JCS4N60CC-C-B
JCS4N60FC-F-B
JCS4N60FC-F2-B
JCS4N60RC-R-B
JCS4N60BC-B-B
Halogen-Free-Tube
JCS4N60VC-V-BR
JCS4N60VC-V2-BR
JCS4N60CC-C-BR
JCS4N60FC-F-BR
JCS4N60FC-F2-BR
JCS4N60RC-R-BR
JCS4N60BC-B-BR
Halogen-Reel
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS4N60RC-R-A
N/A
Halogen-Tube
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS4N60RC-R-AR
N/A
版本：201807N
1/14
R
JCS4N60C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符
号
JCS4N60VC/
RC
绝对最大额定值
项
目
数 值
Value
JCS4N60
CC/BC
JCS4N60
FC
JCS4N60
FC-K2
Parameter
Symbol
单½
Unit
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
600
4.0
2.5
16
±
30
16*
V
A
A
A
V
最大脉冲漏极电流（注
1）
Drain Current - pulse（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流（注
1）
Avalanche Current
（note
1）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注
3）
Peak Diode Recovery
（note
3）
dv/dt
I
DM
V
GSS
E
AS
416
mJ
I
AR
4.0
A
E
AR
11.0
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
P
D
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
T
C
=25℃
Derate
above 25℃
159.2
1.274
179.6
1.436
40.8
0.326
28.4
0.227
W
W/℃
T
J
，T
STG
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201807N
2/14
R
JCS4N60C
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
25℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
150℃
2.0
-
-
-
-
-
2.0
3.5
5.2
1.8
4.0
2.5
4.1
5.8
-
V
Ω
Ω
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
600
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
V
DS
=600V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=480V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.6
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=2.0A
（note
4）
动态特性
Dynamic Characteristics
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
F=1.0MH
Z
open drain
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
0.8
-
-
-
-
5.5
Ω
pF
pF
pF
642.1 860
70.82 100
3.06
15
版本：201807N
3/14
R
JCS4N60C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=4.0A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=300V,I
D
=4.0A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
9.6
23.6
38.8
26.4
17.5
4.3
4.66
20
50
80
70
25
8
9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
4
A
I
SM
-
-
16
A
V
GS
=0V,
I
S
=4.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=4.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
380.7 900
1.555 4.0
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
符 号
JCS4N60
Symbol
VC/RC
最大
Max
JCS4N60 JCS4N60FC
CC/BC
JCS4N60FC
(TO-220MF） (TO-22MF-K2)
单½
Unit
℃/W
℃/W
R
th(j-c)
0.785
79.89
Notes:
0.696
59.34
3.063
44.42
4.407
46.87
结到环境的热阻
R
th(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=48mH, I
AS
=4.0A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=48mH, I
AS
=4.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3
：
I
SD
≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201807N
4/14
R
JCS4N60C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
10
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
150
℃
I
D
[A]
1
I
D
[A]
25
℃
1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
10
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
0.1
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.2
3.0
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
(on) [ Ω ]
2.8
V
GS
=10V
V
GS
=20V
I
DR
[A]
2.6
25
℃
1
2.4
2.2
150
℃
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
2.0
Note
：
T
j
=25
℃
1.8
0
1
2
3
4
5
6
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本：201807N
5/14
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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