R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS15N65H
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
15.0 A
I
D
650 V
V
DSS
Rdson-Max
0.55 Ω
（@Vgs=10V）
35.2 nC
Qg-Typ
封装
Package
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED
电源
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
LED power supplies
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 10pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½C
rss
(典型值 10pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
无卤-条管
有卤-编带
无卤-编带
印
记
Marking
JCS15N65FH
JCS15N65FH
封
装
Package
TO-220MF
TO-220MF-K2
Halogen-Tube
JCS15N65FH-F-B
JCS15N65FH-F2-B
Halogen-Free-Tube
JCS15N65FH-F-BR
JCS15N65FH-F2-BR
Halogen-Reel
N/A
N/A
Halogen-Free -Reel
N/A
N/A
版本：201807E
1/10
R
JCS15N65H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
数 值
Value
JCS15N65FH
TO-220MF
650
15*
9.5*
JCS15N65FH
TO-220MF-K2
单
½
Unit
V
A
A
项
目
Parameter
绝对最大额定值
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current – pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note
1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche
Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压
变化速率
（注
3）
Peak Diode Recovery
dv/dt
（note
3）
60.0*
A
V
GSS
±
30
V
E
AS
1688
mJ
I
AR
15
A
E
AR
4.0
mJ
dv/dt
9.8
V/n
s
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
B
61.6
48.4
W
W/
℃
0.49
0.39
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
B
-55½+150
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201807E
2/10
R
JCS15N65H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
B
B
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
B
B
B
B
650
-
-
V
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
=1mA, referenced to
25℃
B
B
-
0.79
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=650V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
B
B
B
B
B
B
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=520V,
B
B
T
C
=125℃
B
B
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
B
B
B
B
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
3.0
-
-
-
-
5.0
V
Ω
Ω
Ω
S
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
25℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
150℃
0.5 0.55
0.88 1.20
1.3 1.80
11.0
-
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=7.5A
（note
4） -
动态特性
Dynamic Characteristics
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
F=1.0MH
Z
open drain
V
DS
=25V,
V
GS
=0V
f=1.0MH
Z
B
0.4
-
2.6
Ω
1000 2080 2600 pF
50
2
200 350
10
40
pF
pF
B
版本：201807E
3/10
R
JCS15N65H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
V
DD
=325V,I
D
=15A,R
G
=25
Ω
（note
4，5）
测试条件
Tests conditions
最大 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
-
-
-
-
48
64
41.6
35.2
11.9
13.9
60
90
62
75
25
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
116.8 155
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge Q
g
栅－源电荷
Gate-Source charge Q
gs
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Q
gd
V
DS
=520V ,
-
I
D
=15A
-
V
GS
=10V
（note
4，5） -
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
15
A
I
SM
-
-
60
A
V
GS
=0V,
I
S
=15.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=15.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
853 1500 ns
5.84
15
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=15mH, I
AS
=15A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
3： ≤15A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温T
J
=25℃
I
SD
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结温
符 号
Symbol
最大
Max
JCS15N65FH
TO-220MF
2.03
39.1
Notes:
JCS15N65FH
TO-220MF-K2
2.58
43.7
单 ½
Unit
R
th(j-c)
R
th(j-A)
℃/W
℃/W
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=15mH, I
AS
=15A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting T
J
=25℃
3：I
SD
≤15A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201807E
4/10
R
JCS15N65H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本：201807E
5/10
电子竞赛
京公网安备 11010802033920号
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