R
N
沟道增强型场效应晶½管
N- CHANNEL MOSFET
JCS640H
主要参数
ID
VDSS
MAIN CHARACTERISTICS
18A
200 V
0.15Ω
27.5nC
封装
Package
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 25pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 25pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
器件重量
Device
Weight
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
2.06 g(typ)
2.22 g(typ)
订 货 型 号
Order codes
JCS640VH-O-V-N-B
JCS640RH-O-R-N-B
JCS640RH-O-R-N-A
JCS640CH-O-C-N-B
JCS640FH-O- F-N-B
印
记
Marking
JCS640VH
JCS640RH
JCS640RH
JCS640CH
JCS640FH
封
装
Package
IPAK
DPAK
DPAK
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen Free
否
否
否
否
否
NO
NO
NO
NO
NO
包
装
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
编带
Brede
条管
Tube
条管
Tube
版本：201510B
1/12
R
JCS640H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
18
16
数 值
Value
JCS640VH/RH/CH
200
18*
16*
JCS640FH
单 ½
Unit
V
A
A
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current -continuous
最大脉冲漏极电流（注
1）
Drain Current -pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
72
72*
A
V
GSS
±30
V
E
AS
259
mJ
雪崩电流（注
1）
I
AR
Avalanche Current
（note
1）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche
Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变
化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
E
AR
14
18
A
4.4
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
140
44
W
1.12
0.35
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead
Temperature for Soldering
Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201510B
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R
JCS640H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTIC
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current, forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current, reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1001
173
25
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
-
-
4.0
V
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250μA, V
GS
=0V
200
-
-
V
V/℃
μA
μA
nA
ΔBV
DSS
I
D
=250μA, referenced to
/ΔT
J
25℃
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
DS
=200V, V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=160V, T
C
=125℃
V
DS
=0V, V
GS
=30V
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1
10
100
-100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=9A
g
fs
0.12 0.15
14.5
-
V
DS
= 40V , I
D
=9A（note 4）
版本：201510B
3/12
R
JCS640H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=160V ,
I
D
=18A
V
GS
=10V（note 4，5）
测试条件
Tests conditions
V
DD
=100V,I
D
=18A,R
G
=25Ω
V
GS
=10V
（note
4，5）
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
-
-
-
-
-
-
-
15.2 21
38.7 54
46.4 65
12.8 18
27.5 36
5.7
10.8
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching –Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
Forward Current
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
-
-
18
A
I
SM
-
-
72
A
V
GS
=0V, I
S
=18A
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=18A
dI
F
/dt=100A/μs (note 4)
224
1.38
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
注：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=1.6mH, I
AS
=18A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
R
G
=25 Ω,起始结温
符 号
Symbol
最大值
Value
JCS640VH/RH/CH
0.89
62.5
JCS640FH
2.85
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
Rth(j-c)
Rth(j-A)
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=1.6mH, I
AS
=18A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
,起始结温 T
J
=25
℃
3：
SD
≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
I
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：基本与工½温度无关
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201510B
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R
JCS640H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
100
特征曲线
Typical Output Characteristics, TC =
25 °C
I
D
[A]
25
℃
10
150
℃
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
1
4
6
8
10
12
V
GS
[V]
Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
Capacitance Characteristics
2.0x10
3
Gate Charge Characteristics
12
Capacitance [pF]
C
iss
1.0x10
3
C
oss
V
GS
Gate Source Voltage[V]
1.5x10
3
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C +C
gd
ds
C
rss
=C
gd
V
DS
=40V
V
DS
=100V
10
8
6
V
DS
=160V
4
5.0x10
2
C
rss
2
0.0
10
0
0
10
1
Notes:
I
D
=18A
0
10
20
30
V
DS
Drain-Source Voltage [V]
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201510B
5/12
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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