R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR2100
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN CHARACTERISTICS
2A
100 V
175
℃
0.72V
(@Tj=125℃)
封装
Package
DO-41
DO-15
用途
APPLICATIONS
SMA
Low voltage, high
½压、高频整流
frequency rectifier
½压续流电路和保护电
Free wheeling diodes,
路
polarity protection
applications
SMAF
产品特性
½向、贴片结构
½功耗,高效率
良½的高温特性
有过压保护环,
高可靠性
环保(RoHS)产品
FEATURES
Axial Lead & SMD Rectifier
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen Free-Reel
印
记
Marking
HBR2100
HBR2100
HBR2100
HBR2100
封
装
Package
DO-41
DO-15
SMA
SMAF
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
HBR2100-DC-A
HBR2100-DB-A
HBR2100-XA-A
HBR2100-XB-A
HBR2100-DC-AR
HBR2100-DB-AR
HBR2100-XA-AR
HBR2100-XB-AR
版本(Rev.):201806B
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R
绝对最大额定值
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流T
C
=125℃
Average Rectified Forward Current
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负½½
8.3ms
半正弦波—按
JEDEC
方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
符 号
Symbol
V
RRM
V
DC
I
F(AV)
数 值
Value
100
100
2
单 ½
Unit
V
V
A
I
FSM
50
A
T
j
T
STG
175
-40~+150
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
I
R
V
F
测试条件
Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
V
R
=V
RRM
I
F
=1A
0.80
0.68
最小值
典型值
最大值
Value(min) Value(typ) Value(max)
10
5
0.85
0.72
单½
Unit
μA
mA
V
V
热特性
THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
结到环境的热阻
Thermal resistance from
junction to ambient
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
DO-41
DO-15
SMA/SMAF
DO-41
DO-15
SMA/SMAF
符 号
Symbol
R
th(j-a)
最小值
Value(min)
最大值
单 ½
Value(max) Unit
100
85
150
50
40
50
℃/W
R
th(j-c)
℃/W
版本(Rev.):201806B
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