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HBR20150U-220

产品描述直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A -
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小413KB,共7页
制造商吉林华微
官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
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HBR20150U-220概述

直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A -

HBR20150U-220规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)150V
平均整流电流(Io)2 x 10A
正向压降(Vf)850mV @ 10A

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R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20150U
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN CHARACTERISTICS
20(2×10)A
150 V
175
0.68V
(@Tj=125℃)
封装
Package
TO-22O
TO-22OHF
用途
APPLICATIONS
High frequency switch
高频开关电源
power supply
½压续流电路和保护电
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
TO-263
产品特性
共阴结构
½压降,
½功耗,
高效率
良½的高温特性
有过压保护环,
高可靠性
环保(RoHS)产品
FEATURES
Common cathode structure
Low VF,Low power loss,
High efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
HBR20150UZ
HBR20150UZR
HBR20150US
HBR20150USR
HBR20150US
HBR20150USR
HBR20150UHF
HBR20150UHFR
Marking
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
HBR20150U
Package
TO-220
TO-220
TO-263
TO-263
TO-263
TO-263
TO-220HF
TO-220HF
无卤素
Halogen Free
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
编带
Reel
编带
Reel
条管
Tube
条管
Tube
器件重量
Device Weight
1.98 g(typ)
1.98 g(typ)
1.90 g(typ)
1.90 g(typ)
1.90 g(typ)
1.90 g(typ)
1.70 g(typ)
1.70 g(typ)
版本(Rev.):201601A
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