R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS15N60H
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson-max
（Vgs=10V）
Qg
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
15 A
600 V
0.52
Ω (MAX)
0.45
Ω (TYP)
36.0 nC
APPLICATIONS
High
efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 23pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 23pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Non halogen-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Non halogen-Reel
印
记
Marking
JCS15N60CH
JCS15N60FH
JCS15N60FH
JCS15N60BH
JCS15N60SH
封
装
Package
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF-K2
TO-262
TO-263
JCS15N60CH-C-B
JCS15N60FH-F-B
JCS15N60FH-F2-B
JCS15N60BH-B-B
JCS15N60SH-S-B
JCS15N60CH-C-BR
JCS15N60FH-F-BR
JCS15N60FH-F2-BR
JCS15N60BH-B-BR
JCS15N60SH-S-BR
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS15N60SH-S-A
N/A
N/A
N/A
N/A
JCS15N60SH-S-AR
版本：201808H
1/13
R
JCS15N60H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
数 值
Value
JCS15N6
0CH/BH/S
H
600
15
9.5
60
±
30
JCS15N60
FH( TO-22
0MF)
JCS15N60
FH(TO-220
MF-K2)
单
½
Unit
V
A
A
A
V
绝对最大额定值
项
目
Parameter
符 号
Symbol
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
600
15*
9.5*
60*
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
I
DM
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche Energy
（note
2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率
（注
3）
V
GSS
E
AS
245
mJ
I
AR
15
A
E
AR
23.9
mJ
dv/dt
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
245
9.8
53
43.3
V/ns
W
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
耗散功率
Power Dissipation
2.0
0.42
0.35
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201808H
2/13
R
JCS15N60H
项
目
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
25℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=7.5A
150℃
3.0
0.2
0.3
0.5
-
-
5.0
V
Ω
Ω
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
600
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
V
DS
=600V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=480V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.79
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
0.45 0.52
0.79 1.10
1.17 1.70
12.3
-
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=7.5A
（note
4）
F=1.0MH
Z
open drain
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
0.3
-
3.2
Ω
pF
pF
pF
1000 1929 2920
125
2.5
200
10
650
30
版本：201808H
3/13
R
JCS15N60H
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=15A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=250V,I
D
=15A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
34
70
90 158
190 345
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
34 87.2 150
20 40.6 100
10 35.7 60.0
4
3
12.4 28.0
12.8 20.0
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
15
A
I
SM
-
-
60
A
V
GS
=0V,
I
S
=15A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=15A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
250 480 1000
2.5
9
16.0
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=2.0mH, I
AS
=15A, V
DD
=50V,
温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤15A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
符 号
Symbol JCS15N60CH/ JCS15N60FH
BH/SH
TO-220MF
R
th(j-c)
R
th(j-A)
0.51
62.5
Notes:
最大
Max
单 ½
JCS15N60FH Unit
TO-220MF-K2
2.89
67.1
℃/W
℃/W
2.36
62.5
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=2.0mH, I
AS
=15A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤15A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201808H
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R
JCS15N60H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
100
V
GS
15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
10
I
D
[A]
10
I
D
[A]
150
℃
25
℃
1
1
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
1
10
Notes:
1.250μs pulse test
2 . V =20V
DS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.80
0.75
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
( o n ) [ Ω ]
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0
I
DR
[ A ]
V
GS
= 1 0 V
25
℃
1
V
GS
= 2 0 V
150
℃
N o t e
j
=T 5
: 2
℃
0.1
0.2
Notes:
1. 250μs pulse test
2 .
GS
= 0 V
V
0.8
0.9
1.0
1.1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
I
D
[ A ]
V
SD
[ V ]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本：201808H
5/13
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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