R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS3205H
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
I
D
V
DSS
Rdson-max
（@Vgs=10V）
Qg-typ
用途
高频开关电源
UPS
电源
110 A
55 V
8 mΩ
78nC
APPLICATIONS
封装
Package
efficiency switch
mode power supplies
UPS
High
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 197pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 197pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen-Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen-Free-Reel
印
记
Marking
JCS3205CH
JCS3205SH
封
装
Package
TO-220C
TO-263
JCS3205CH-C-B
JCS3205SH-S-B
JCS3205CH-C-BR
JCS3205SH-S-BR
N/A
JCS3205SH-S-A
N/A
JCS3205SH-S-AR
版本：201807G
1/9
R
JCS3205H
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
单 ½
Unit
绝对最大额定值
项
目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
55
110*
80*
440*
V
A
A
A
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current – pulse（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化速率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
耗散功率
Power Dissipation
V
GSS
±20
V
E
AS
2970
mJ
I
AR
60
A
E
AR
20
mJ
dv/dt
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
，T
STG
5.0
200
1.33
V/ns
W
W/℃
℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes
-55½+175
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201807G
2/9
R
JCS3205H
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最大 单½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅电阻
Gate Resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
R
g
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
f=1.0MH
Z
,
V
DS
OPEN
0.5
1.8
2.6
Ω
pF
pF
pF
V
GS(th)
R
DS(ON)
T=25℃
R
DS(ON)
T=100℃
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=60A
V
GS
=10V , I
D
=60A
V
DS
= 28V, I
D
=60A（note 4）
2.0
-
-
-
-
7
4.0
8
V
mΩ
mΩ
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
55
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
I
DSS
V
DS
=55V,V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=44V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
0.057
-
-
-
-
1
10
100
V/℃
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=20V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
-
-
-100
nA
10.5 12
43
-
g
fs
1375 2750 5625
375
99
749 1124
197
296
版本：201807G
3/9
R
JCS3205H
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=44V ,
I
D
=60A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=28V,I
D
=60A,R
G
=25Ω
V
GS
=10V
（note
4，5）
-
-
-
-
38
17
57
26
86
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
122 183
72 108
78 117
6.6 13.2 20
18.9 37.8 56
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
110
A
I
SM
-
-
440
A
V
GS
=0V,
I
S
=60A
-
1.3
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=60A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
67 127
163 253
ns
nC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=0.5mH, I
AS
=60A, V
DD
=50V,
结温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始
符 号
Symbol
R
th(j-c)
R
th(j-A)
Notes:
最大
Max
0.75
62.5
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=0.5mH, I
AS
=60A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201807G
4/9
R
JCS3205H
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
1000
特征曲线
On-Region Characteristics
1000
V
GS
15V
10V
9V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
25
℃
I
D
[A]
I
D
[A]
100
100
175
℃
10
10
1
0.1
Notes:
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
1
10
100
Notes:
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
1
4
6
8
10
12
V
DS
[V]
V
GS
[V]
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
1000
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.040
0.035
R
DSON
[Ω]
100
0.030
0.025
I
DR
[A]
175
℃
10
60A
40A
0.020
25
℃
1
0.015
Notes:
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.010
0.005
0.000
Notes
：
250μs pulse test
2
4
6
8
10
12
14
0.1
V
SD
[V]
V
GS
[V]
Capacitance Characteristics
3
Gate Charge Characteristics
12
5x10
Capacitance [pF]
3x10
3
C
iss
C
oss
2x10
3
1x10
3
C
rss
10
0
0
10
1
V
GS
Gate Source Voltage[V]
4x10
3
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
V
DS
=44V
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
D S
Drain-Source Voltage [V]
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201807G
5/9
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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