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HBR20100S-220

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小668KB,共9页
制造商吉林华微
官网地址http://www.hwdz.com.cn/About/164
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
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HBR20100S-220概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):850mV @ 10A

HBR20100S-220规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)2 x 10A
正向压降(Vf)850mV @ 10A

HBR20100S-220文档预览

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R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20100S
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN CHARACTERISTICS
20(2×10)A
100 V
175
0.7V
(@Tj=125℃)
封装
Package
TO-22O
TO-22OHF
用途
APPLICATIONS
High frequency switch
高频开关电源
power supply
½压续流电路和保护电
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
TO-220MF-K1
TO-263
产品特性
共阴结构
½功耗,高效率
良½的高温特性
有过压保护环,
高可靠性
环保(RoHS)产品
FEATURES
Common cathode structure
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
RoHS product
DPAKM
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
Halogen-Tube
无卤-条管
Halogen Free-Tube
有卤-编带
Halogen-Reel
无卤-编带
Halogen Free-Reel
Marking
HBR20100S
HBR20100S
HBR20100S
HBR20100S
HBR20100S
Package
TO-220
HBR20100S-CA-B
HBR20100S-FA-B
HBR20100S-F1-B
HBR20100S-S-B
N/A
HBR20100S-CA-BR
HBR20100S-FA-BR
HBR20100S-F1-BR
HBR20100S-S-BR
N/A
N/A
N/A
N/A
HBR20100S-S-A
HBR20100S-RM-A
N/A
N/A
N/A
HBR20100S-S-AR
HBR20100S-RM-AR
TO-220HF
TO-220MF-K1
TO-263
DPAKM
版本(Rev.):201806E
1/9
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