R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS4N80C
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson-max @Vgs=10V）
（
Qg-typ
用途
开关电源
电子镇流器
4A
800 V
2.6Ω
29.5nC
APPLICATIONS
Switched mode power
suppliesy
Electronic ballast
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 8.8pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 8.8pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
有卤-条管
无卤-条管
有卤-编带
无卤-编带
印
记
Marking
JCS4N80V
JCS4N80R
JCS4N80F
JCS4N80C
JCS4N80B
JCS4N80V
封
装
Package
IPAK
DPAK
TO-220MF
TO-220C
TO-262
IPAK-WS2
Halogen-Tube
JCS4N80VC-V-B
JCS4N80RC-R-B
JCS4N80FC-F-B
JCS4N80CC-C-B
JCS4N80BC-B-B
JCS4N80VC-V5-B
Halogen-Free-Tube
JCS4N80VC-V-BR
JCS4N80RC-R-BR
JCS4N80FC-F-BR
JCS4N80CC-C-BR
JCS4N80BC-B-BR
JCS4N80VC-V5-BR
Halogen-Reel
N/A
JCS4N80RC-R-A
N/A
N/A
N/A
N/A
Halogen-Free -Reel
N/A
JCS4N80RC-R-AR
N/A
N/A
N/A
N/A
版本：201809J
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R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
绝对最大额定值
项
目
Parameter
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
JCS4N80CC/
BC
JCS4N80FC
800
4
2.48
16
JCS4N80VC/
RC
单
½
Unit
V
A
A
A
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Energy
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率
（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
V
GSS
±
30
V
E
AS
470
mJ
I
AR
4.0
A
E
AR
13
mJ
dv/dt
4.0
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
99.2
38.2
45.8
W
0.79
0.31
0.37
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201809J
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R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
25℃
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
100℃
V
GS
=10V , I
D
=2.0A
150℃
g
fs
V
DS
= 50V, I
D
=2.0A
（note
4）
2.0
0.5
0.6
0.8
-
-
1.9
3.3
4.9
3.8
4.0
2.6
4.5
6.5
-
V
Ω
Ω
Ω
S
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
800
-
-
V
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A, referenced to
T
J
25℃
V
DS
=800V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=640V,
I
GSSF
T
C
=125℃
-
0.95
-
V/℃
I
DSS
-
-
-
-
-
-
5
100
100
μA
μA
nA
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
F=1.0MH
Z
open drain
0.5
300
40
2.0
-
675
78
8.8
6.0
880
100
15
Ω
pF
pF
pF
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R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=640V ,
I
D
=4A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=400V,I
D
=4A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
18
39
38
40
80
80
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
48 100
29.5 45
4.8 12.0
12.8 30.0
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
4
A
I
SM
-
-
16
A
V
GS
=0V,
I
S
=4A
-
-
1.5
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=4A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
580 1500
3.8
9.0
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
符 号
Symbol
JCS4N80CC/
BC
最大
Max
JCS4N80FC
JCS4N80VC/
RC
单 ½
Unit
R
th(j-c)
1.26
62.5
Notes:
3.27
62.5
2.73
110
℃/W
℃/W
结到环境的热阻
R
th(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=55mH, I
AS
=4A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
3：I
SD
≤4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结温
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=55mH, I
AS
=4A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3：I
SD
≤4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
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N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
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嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
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